三星电子(Samsung Electronics) 为与其他尚无法生产V NAND的竞争业者将技术差距拉大到2年以上，并在次世代存储器芯片市场上维持独大地位，计划在2015年内量产堆叠48层Cell的3D垂直结构NAND Flash。

　　据首尔经济报导，三星近来已完成48层结构的V NAND研发，并着手研发后续产品64层结构V NAND。48层V NAND将于2015年内开始量产。原本韩国业界推测三星会在2015年下半完成48层V NAND，并在2016年才投入量产，然三星大幅提前了生产日程。

　　2013年首度公开24层结构V NAND的三星，在不到1年时间内的2014年5月，领先全球开始生产堆叠层数提升30%的32层V NAND。接着又完成48层V NAND研发，技术力领先群雄。

　　以营收为基准，在NAND Flash市场上排名第二~五名的新帝(SanDisk)、东芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)等，都尚未投入V NAND生产。

　　V NAND是为了突破平面结构NAND Flash的技术瓶颈，而改变为立体结构的创新产品。将存储器Cell层层堆高，堆叠越多层，集积度越高，可提升储存容量。此外，V NAND的寿命也较平面NAND延长最高10倍。

　　三星已完成研发的48层V NAND，被业界看作是存储器芯片的分水岭。直到32层V NAND因成本相对于性能来说仍旧偏高，市场性比平面结构芯片低，然48层结构V NAND已能确保价格和品质，可望成为V NAND市场大势。

　　东芝认为，推出32层V NAND的主要目的与其说是提升获利，宣示技术力的成分较高;然超过40层的V NAND将能让技术力领先的业者掌握市场。

　　V NAND需求也正逐渐升温，报导引用市调机构iSuppli资料指出，未来取代硬碟的次世代储存装置固态硬碟(SSD)，搭载V NAND的比重将从2014年的0.1%，在2018年增加到31.1%。

　　目前三星和其他竞争企业在V NAND领域的技术差距约有2年以上。SK海力士、英特尔(Intel)和美光(Micron)的合资公司IM Flash以2015年初投入量产为目标，对客户公开24层结构V NAND样品，东芝预计会在2015年下半推出24层V NAND。