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美光推出新型内存支持基于英特尔处理器的平板电脑和上网本

新型2Gb 50纳米DDR2内存 为即将上市的英特尔Intel® 凌动™平台带来关键优势
2010-07-30
作者:美光科技

    美光科技(Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存,支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的理想存储解决方案。

    美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的50 纳米制程节点,反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提高,采用50纳米制程更有助于降低功耗,并减少内存占用(memory footprint)。

    美光DRAM营销副总裁Robert Feurle指出:“美光2Gb 50纳米DDR2器件正是英特尔将推的基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail 平台的最佳搭配。它功耗低、内存容量高和高性能特性适合繁荣的平板电脑市场。除此之外,美光也正不遗余力地开发50纳米系列产品,以继续支持客户在这项技术上的创新。”

    英特尔移动事业群(Mobile Product Group)总监Erik Reid 认为,“即将推出的Intel® 凌动™ ” Oak Trail 平台是为平板电脑和上网本的轻巧设计而量身打造的。Oak Trail 耗电低且具备适合多任务、丰富媒体(rich media)和互联网环境的性能,这些特性和优势结合美光的2Gb 50纳米DDR2内存,为满足双方客户的设计需求提供了强大的解决方案。”

    美光为客户开发的DDR2内存维持一贯对质量的高要求,提供优异的性能和多种配置、容量和封装的选择。最新型50纳米DDR2系列产品包括:

  • 从512Mb到2Gb多种容量器件可供选择,提供X4/X8/X16封装
  • 从1GB到4GB的UDIMM及SODIMM 高容量模块配置
  • 传输率高达800 MT/s,为更高的总线速度(Bus Speed)提供迁移路径
  • 支持1.55伏特电压,降低内存系统耗电

供货情况:

    美光预计于2010年9月开始提供2Gb 50纳米DDR2内存样片,计划于2010年第四季度正式量产。

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关于美光科技(Micron Technology, Inc.)

    美光科技是世界领先的先进半导体解决方案提供商之一。美光依托全球性运营,制造和销售一系列DRAM、NAND和NOR闪存、以及其他创新存储技术、包装解决方案和和半导体系统,用于前沿计算、消费、网络和移动产品。美光的普通股在NASDAQ上市交易,代码为MU。欲了解有关美光的更详尽信息,敬请访问www.micron.com。

    Micron(美光)和美光轨道标志是美光科技股份有限公司的商标。所有其他商标属其各自所有人财产。
    本新闻稿包含有关美光新2Gb 50纳米DDR2内存生产及取得该产品样本的前瞻性陈述。实际情况或结果可能与这些前瞻性陈述所含内容不符。请综合参阅美光不时在证券交易委员会存档的文件,特别是公司最新的10-K表和10-Q表。这些文件载有并明确指出了可能会使美光实际综合业绩与前瞻性陈述不符的重要因素(参见“某些因素”章节)。尽管我们认为前瞻性陈述中反映的期望是合理的,但我们不能对未来业绩、活动水平、表现或成绩做出保证。

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