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Zetex 新款无铅型 MOSFET 将占位面积减半

2008-03-10
作者:捷特科公司

模拟信号处理及功率管理" title="功率管理">功率管理方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其首款采用无铅 2mm x 2mm DFN 封装的" title="封装的">封装的 MOSFET 产品 ZXMN2F34MA。该器件的印刷电路板" title="印刷电路板">印刷电路板占位面积比行业标准 SOT23 封装器件小 50%,板外高度只有 0.85 mm,适用于各类空间有限的开关及电源管理应用,如降压/升压负载点转换器中的外置开关。对这些应用而言,印刷电路板的占位面积、散热性能及低阈值电压是最重要的。 

MOSFET 是 Zetex 六款新型低电压 (20V和30V)N沟道单双器件系列的一款,该系列有不同的表面贴装封装" title="表面贴装封装">表面贴装封装可供选择。

尽管尺寸缩小了,额定电压为 20V 的 ZXMN2F34MA的散热性能却胜过体积比它大得多的 SOT23 封装。该器件采用的 DFN322 无铅封装可保证热阻比同类产品低 40%,有助于降低工作温度和改善功率密度。在 4.5V 和 2.5V 的典型栅源极电压下,ZXMN2F34MA 的导通电阻值分别仅有60m? 和120m?。 

此外,新器件的反向恢复电荷较低,可减少开关损耗和电磁辐射(EMI)问题,非常适用于笔记本电脑、移动电话及通用便携式电子设备等低电压应用,这些应用需要降低在线功率损耗来延长充电间隔时间。 


ZXMN2F34MA 系列采用 DFN322 封装,其中 ZXMN2F34FHTA、ZXMN2F30FHTA和 ZXMN3F30FHTA 三款采用 SOT23 封装的 N 沟道MOSFET;ZXMN3F31DN8 和 ZXMN3G32DN8 两款则是采用 SO8 封装的双 N 沟道器件。更多信息请浏览:www.zetex.com。 

Zetex Semiconductors简介

Zetex致力设计和制造高性能仿真半导体,专攻发光二极管 (LED) 照明、音频及卫星直播等多元化应用领域。该公司的集成及分立式半导体产品" title="半导体产品">半导体产品,可提供紧凑、高效率的功率管理及讯号处理解决方案,迎合仿真及数码电路设计对更高电能效率、精准度和速度的需求。 

Zetex的总部设于英国曼彻斯特附近,在亚洲、欧洲及北美设有设计支持、制造和销售业务,在全球雇有逾六百五十名员工,也是现今唯一在英国上市的纵向集成硅半导体制造商。有关进一步资料,可浏览公司网页www.zetex.com。
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