全国人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任谢超英在接受《中国电子报》记者专访时说，他向大会提出加快IGBT(绝缘栅双极晶体管)产业发展的建议，建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究开发与产业化。”

　　IGBT应用需求巨大

　　谢超英向《中国电子报》记者介绍说，IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。

　 　近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体技术已经日益广泛地应用于日常消费品、工业制造、电力输配、交通运输、航空航天、可再生能源及军工等重点领 域，只要涉及到用电的各种场合，就离不开以功率半导体为核心的电力电子技术的应用。“目前，中国是世界上最大的功率半导体器件消费国，但作为产业链高端的 功率芯片则全部依赖进口，这势必影响国民经济的安全、可持续发展。因此，建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率 芯片及其器件的研究开发与产业化。”

　 　谢超英对《中国电子报》记者说，我国IGBT技术取得一定突破，应用需求巨大。IGBT芯片技术方面，中国南车建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT 芯片专业生产线，具备年产12万片芯片、并配套形成年产100万只IGBT模块的自动化封装测试能力，芯片与模块电压范围实现从650V到6500V的全 覆盖。去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线，8英寸3300V芯片已完成试制与测试，6500V芯片也已研发出合格样品。IGBT模块技术方面，封装IGBT模块所用芯片大多由英 飞凌、ABB等国外公司提供，只有极少量的芯片由国内生产，国产IGBT芯片年产值不到1亿元。但我国却是全球最大的功率半导体消费市场，占全球市场的 40%以上，未来一段时期仍将保持15%以上的速度增长，市场潜力巨大。其中，我国IGBT消费市场目前约80亿元的规模(全球市场约300亿元)，到 2020年可能达到300亿元的规模。

　　在谢超英看来，我国IGBT产业发展制约因素较多，亟待突破。一是没有形成创新体系，二是缺乏完整的生产线，三是配套产业薄弱，关键材料的国产化已成为我国IGBT产业快速发展的一大制约因素。

　　出台扶持政策加快IGBT产业化

　 　谢超英说，IGBT作为电能变换的关键部件，是现代科学、工业和国防的重要核心技术，以IGBT为代表的功率半导体是电力电子产品的基础。为尽快改变目 前我国在产业链高端的功率半导体芯片基本依赖进口的局面，他建议国家出台扶持政策，依托国内优势企业，通过示范和引导，大力推进我国IGBT产业化并形成 规模优势。

　 　一是设立国家重大科技专项支持IGBT技术研发与产业化。建议设置功率半导体重大专项，支持IGBT等功率器件技术升级与产业拓展。探索IGBT研发与 产业化的“后补助”政策，通过“事前申报、事后认定”的方式对以企业为主的IGBT科技创新主体给予经费补助，积极推进IGBT技术的持续创新，加速科技 成果产业化。

　 　二是成立产业发展专项基金鼓励IGBT应用推广。由工信部牵头成立IGBT产业发展专项基金，鼓励与支持国产IGBT器件的进口替代及应用推广，以器件 应用拉动我国IGBT产业化进程。同时，对轨道交通、新能源、电动汽车、家电等IGBT主要应用领域提供政策性补贴，通过政府采购、节能工程、示范工程等 政策，加快推动国产IGBT应用的多点突破、加强器件、系统、装置与应用全产业链的合作。

　 　三是建设国家级创新平台培育IGBT产业集群。建议以中国南车在湖南省建设的国内首条8英寸IGBT生产线为基础，建设功率半导体国家级科技创新平台， 引领行业技术、标准发展。同时，依托中国南车等优势企业建立IGBT芯片基地和IGBT应用产业基地，汇聚功率器件上下游产业，形成国内首个国产IGBT 千亿产业基地，示范和引领产业发展。

　　四是出台税收等政策支持IGBT国产化。对于成熟的国产IGBT制造企业的持续性投入予以项目资金支持，减免销售收入增值税，同时逐步提高进口IGBT的关税，减轻国产IGBT的市场价格竞争压力，促进我国IGBT产业的健康发展。