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4G LTE基带芯片技术升级有助功耗降低

2015-03-10
关键词: 4G 4GLTE 基带芯片

        在今日强调联网的社会,更迅速省电的数据晶片技术格外受到重视。除原本的高通、英特尔外,三星电子也加入数据晶片的研发行列,并和高通不约而同投入研发自己的前端解决方案,希望借此取得数据晶片及其他各方面的重大进展。

  据富比士网站报导,目前各家的数据晶片仍存在显著差异。英特尔和三星数据晶片最快连网速度为Category 4或Category 6,分别代表150Mbps及300Mbps的下载速度。高通最快的Snapdragon 810则提供Category 9的LTE连线,与450Mbps的下载速度。然而目前许多电信业者没有足够的频谱支援3x20 MHz载波聚合,以及450Mbps的下载速度。

  还有许多数据晶片性能是受到射频前端影响。若是能让射频前端与数据晶片取得同步,便可调整天线与射频前端间的阻抗失谐,进而解决用户手持手机习惯造成的问题,改善收讯及耗电。

  动态天线匹配调谐器带来的节能效果,不论是在最佳或最差的讯号品质下都能有所发挥。这些调谐器和数据晶片在讯号极差的细胞边缘,几乎决定了网路连线的有无。而在讯号品质最好的地方,改良数据晶片则能节省高达67%的电力。

  由于网路速度不断增加,数据晶片伴随着物联网装置逐渐渗透生活,因此对于数据晶片效能、智慧、性能的需求也不断提升。某些时候效能可能显得比性能更加重要,但扎实的数据晶片与射频前端技术,还是最终决定各家产品表现的关键。


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