台积电与英特尔、三星的先进制程竞赛依旧打得火热，10纳米以下制程成为半导体三雄间的竞逐场，三星虽于11月中抢先发表10纳米FinFET制程生产的SRAM(静态随机存取存储器)，看似抢先台积电与三星，不过，台积电3日透露，早已成功以7纳米制程产出SRAM，而且预告5纳米也要来了!

　　台积电于3日举办第十五届供应链管理论坛，台积电总经理暨共同执行长刘德音表示，库存调整已近尾声，2016有望恢复成长，台积明年将比今年更好，与先前自家董事长张忠谋的说法一致，刘德音对台积电先进制程进度也透露更多的讯息。

　 　在16纳米制程，台积电先前推出比FinFETPlus更低功耗的FFC制程，主打低阶智慧手机与物联网等领域，刘德音昨3日指出，目前已设计定案 (tape-out)的有27个，估计2016年达到100个，16纳米从原本高阶市场主力，进一步拓展到中低阶市场，刘德音预估16纳米市佔的扩展，将 成为明年营收优于去年的重要动能。

　　对于三星于11月中宣布已运用10纳米FinFET生产出SRAM(静态随机存取存储器)，刘德音透 露，台积电已经成功以7纳米制程产出SRAM，10纳米将在2016年初试产、7纳米则有望于2017年第一季试产，与今年9月台积电技术长孙元成，参与 美国圣塔克拉拉举行的创新平台论坛所言进度相同。

　　据孙元成当时说法，10纳米在2016年底或2017年初将进入量产阶段，若依此转进 进度，10纳米阶段台积将有望超车英特尔，英特尔执行长BrianKrzanich在今年第二季法说会上坦承，下世代(10纳米)制程，大约到2017年 下半才会推出。三星则在今年6月正式将10纳米FinFET制程纳入开发路图(Roadmap)，估计10纳米在2016年底、2017年初全面投产，与 台积电时间差不多。

　　值得关注的是，刘德音在昨3日的论坛向供应链伙伴预告，该开始准备5纳米了!虽未对相关时程多做说明，但也令外界相 当期待，然而在10纳米以下制程微缩已经来到光学微影解析的极限，台积电年初透露在10纳米制程有部分光罩将採用极紫外光 (ExtremeUltraviolet，EUV)微影技术进行曝光，大摩3月份发表的报告也指出，EUV将是台积电能否在10纳米以下制程超车的关键。