瑞萨电子2016年08月02日宣布，在化合物半导体器件业务方面，将退出微波器件相关业务，而专注于光器件(光电耦合器、激光二极管及光电二极管)。

　　瑞萨介 绍称，虽然化合物半导体器件业务过去一直在通过降低制造成本、提高开发效率等努力提高业绩，但微波器件已经很难确保未来盈利。原因是，随着周边部件越来越多地嵌入SoC中，市场规模日益缩小;以及随着以台湾地区为中心竞争厂商抬头，价格下滑。另一方面，化合物半导体器件业务中，微波器件以外的光器件业务伴随生产结构改革和市场坚挺增长，业绩持续改善。

　　鉴于以上情况，为了强化整个化合物半导体器件业务，瑞萨决定退出微波器件，而专注于光器件。 在光器件业务中，将继续致力于面向工业用途的、拥有高可靠性的光电耦合器业务，同时，为了支持随着智能手机普及等通信容量迅速扩大的数据中心及基站等，将 加快开发光通信用高速激光二极管和光电二极管，以扩大业务。另外，还将积极推进针对稳定供应体制的BCM(业务连续性管理)。

　　而在微波器件方面，今后不再开发新产品。关于正在量产的微波器件的生产和供应，将与客户协商在大约2年之后停产。另外瑞萨还指出，此次退出微波器件业务对2016财年第一季度的业绩的影响微乎其微。