碳纳米管将取代硅晶体管

IBM研究人员发明了在碳纳米管上移动电子的技术。碳纳米管直径是人类头发的万分之一，导电能力非常强。IBM周四公布的突破是，它发明了一种技术，能在原子量级上把特定类型金属与碳纳米管结合，创建一个在不影响芯片性能的情况下在碳纳米管上移动电子所需要的极其微小的触点。这是一个关键的突破，未来研究人员可以利用碳纳米管取代硅晶体管。

　　这一研究意味着，芯片厂商可能生产晶体管间距接近3纳米的芯片。目前，最先进芯片晶体管间距在11-14纳米，但要缩短间距越来越困难。今年早些时候，IBM高调宣布已经生产出晶体管间距为7纳米的芯片。

　　信息经济的基础是，由于芯片厂商能推出集成度不断提高的芯片，计算和存储设备的价格越来越低。正是在这一被称作摩尔定律的发展趋势的推动下，计算机的计算能力和存储容量有了指数级的增长。

　　但是，随着目前芯片制造工艺物理极限的临近，计算产业发展速度面临停摆的威胁。晶体管间距小到一定程度时，会发生电子泄露现象。解决电子泄露问题需要复杂和昂贵的制造工艺。

　　英特尔首席执行官科再奇(Brian Krzanich)今年早些时候在一次投资者电话会议上表示，该公司发布新芯片的节奏将落后于摩尔定律，因为缩短芯片上晶体管间的间距越来越困难了。这正是IBM的研究希望解决的问题。