今日，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资240亿美元建设的国家存储器基地项目正式动工，预计 2018年建成投产，2020年完成整个项目，初期计划以先进的3D NAND为策略产品。

据悉，此次动工建设的存储器基地位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，规划建设3座3D NAND 生产工厂，1座总部研发大楼和其他若干配套设施，总占地面积1968亩，预计到2020年可形成月产能30万片的规模，年产值将超过100亿美元，到2030年可提升到每月100万片的产能。作为项目承载地的武汉东湖高新区，正在努力打造世界级的集成电路产业创新中心。

从市场角度分析，中国拥有庞大的消费群体，个人、企业、国家数据存储需求都在不断攀升，还有华为、联想、浪潮等服务器制造商，以及百度、腾讯、阿里巴巴等互联网巨头，同时中国物联网市场规模也正在以年增率30%的速度成长。

然而，中国在数据存储所需要的重要芯片上缺乏关键技术，几乎90%以上都要依赖国外进口。紫光集团联合武汉新芯建设规模庞大的国家存储器基地，生产先进的3D NAND，将可填补中国在存储器芯片领域的空白。

另外，紫光还与西部数据成立紫光西部数据有限公司，借助西部数据收购SanDisk在NAND Flash上的资源，以及西部数据在企业级市场上的优势，为中国本土客户提供更好的大数据存储解决方案及服务。

在国家大力发展的集成电路产业的契机下，紫光集团正在集合国家政策、资金实力以及上下游企业资源，在芯片制造、IC设计、封装测试、硬件设施等方面建立一条完整的产业链生态系统，将助力中国实现半导体产业和经济的跨越发展。