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Littelfuse 新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管

具有更低的开关损耗与更高的效率
2017-05-26

  混合pn肖特基 (MPS) 结构可增强抗浪涌能力并降低泄漏电流

  中国,北京,2017年5月25日讯 -Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管,以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。 这种碳化硅二极管是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。 其他基于该技术平台的碳化硅产品(包括1200V碳化硅金氧半场效晶体管)正在筹备中,预计于不远的将来推出。

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  GEN2系列碳化硅肖特基二极管

  GEN2碳化硅肖特基二极管的额定电压为1200V,工作电流从5 A至10 A 不等,采用TO?220-2L或TO-252-2L封装。 相比标准的硅双极功率二极管,这种二极管让电路设计师能够大幅降低开关损耗,并显著提高电力电子系统的效率与耐用性。 它可在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流,并且相比硅二极管能在更高的结温下工作。 它还提供同类最佳的存储电容电荷与正向压降。

  GEN2系列碳化硅肖特基二极管的典型应用包括功率因数校正(PFC)、直流-直流转换器的降压/升压阶段、逆变器级(开关模式电源、太阳能、UPS、工业驱动器)的续流二极管以及高频输出整流等需要改善效率、可靠性与热管理的应用。 这种二极管对工业电源、太阳能逆变器、工业驱动器、焊接和等离子切割设备以及EV/HEV充电站的设计师和制造商而言尤其实用。

  “这种新型碳化硅肖特基二极管的混合p-n肖特基 (MPS) 结构可以为电路设计师提供更强的浪涌性能以及极低的泄漏电流。”Littelfuse功率半导体产品营销经理Michael Ketterer表示, “相比传统的硅功率二极管,这种碳化硅肖特基二极管可提高转换器效率与功率密度,同时帮助降低系统层面的成本。”

  Littelfuse GEN2系列碳化硅肖特基二极管 具有以下关键优势:

  ·同类最佳的电容存储电荷以及 可忽略不计的 反向恢复功能 使其非常适合高频电源开关应用。 它还能确保实现可忽略不计的开关损耗,并降低对相反开关的应力。

  ·同类最佳的正向压降可确保低传导损耗。

  ·175°C的最高结温可提供更大的设计余量以及更为宽松的热管理要求。


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