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CFM:原厂加码投资扩产64层3D NAND

然部分市场仍缺货到年底
2017-09-08
来源:电子技术应用
关键词: 江波龙 闪存

9月6日,由深圳市闪存市场资讯有限公司主办以“中国存储•全球格局”为主题的中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit 2017)在深圳华侨城洲际酒店圆满落幕。本次峰会除了齐聚国内外产业链重要企业嘉宾演讲,其中包括三星、英特尔、美光、Marvell、谷歌、英伟达、江波龙、慧荣、硅格、大基金、汉德资本等业界知名企业领导。

 

当天吸引全球近700家企业参会,其中包括西部数据、SK海力士、长江存储、金士顿、华为、联想、中兴、百度、阿里巴巴等企业参会,涵盖领域包括存储企业、手机、电脑、汽车、工业、大数据应用等,观众超过1200人。中国闪存市场(China Flash Market)总经理邰炜现场针对全球存储市场格局变化和中国存储产业发展机遇进行了存储行业数据分析和报告。

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NAND Flash大涨价,原厂技术向3D NAND切换是主因 

众所周知,原厂技术由于向3D NAND发展,技术转换的空窗期导致市场缺货,NAND Flash价格出现了有史以来最大且持续最长的上涨。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,NAND Flash每GB的价格从2016年的0.12美金一路上涨至0.3美金,主流的eMMC价格上涨60%以上,SSD价格超过80%,对产业影响巨大。

邰炜表示,3D NAND因为是新技术,比2D技术要复杂,工时更长,而且各家都一起投产3D NAND,导致晶圆生产设备供应不上,以至于原厂3D NAND量产时间是要比原计划推迟,这也是2017年市场仍然供不应求的一个原因。

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市场缺货、涨价到何时?原厂64层3D NAND量产进程是关键

虽然2017年市场NAND Flash供货紧缺的市况较2016年有所缓解,但原厂售价依然较高,部分供货依然不足,而且现在正值需求旺季,业内人士非常关心市场NAND Flash缺货要到什么时候,后续市场将如何发展?

邰炜认为,原厂64层3D NAND技术进展,以及Fab工厂投产情况是影响NAND Flash市场后续发展的关键。在2D制程技术方面,目前三星量产的是14nm的128Gbit MLC/TLC;东芝/WD还是量产的15nm 128Gbit MLC/TLC;美光和英特尔量产16nm 128Gbit MLC满足高阶市场;SK 海力士量产14nm的128Gbit TLC。

3D技术部分,三星、东芝/WD、美光/英特尔均量产的是64层3D NAND,SK海力士量产72层3D NAND,其中三星64层3D NAND已用于自家产品,64层3D NAND在Q4将供货给客户;东芝64层256Gbit已经量产;美光64层B16A(256Gbit)已经量产,B17A要再等两个月;SK海力士正在转72层TLC 256Gbit/512Gbit。

可以看到,各家原厂64层和72层 3D NAND都是量产的256Gbit/512Gbit两种规格容量,相较于2D制程工艺可极限量产的128Git,容量提升了3倍。3D技术下一个阶段的96层,容量将可提升到1Tbit,将是2D可量产最大容量的8倍。

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原厂新3D NAND产能优先满足手机和SSD市场需求,给部分市场供货仍会缺到年底

邰炜介绍了原厂各家量产3D NAND和Fab工厂新的动向,其中三星3D NAND生产工厂是中国西安工厂,Fab18工厂,另外西安工厂正在建设第二条产线;东芝和西部数据则主要是Fab 5和Fab 2工厂,并正在为96层量产新建Fab 6工厂,美光和英特尔主要是F10X和大连工厂,SK海力士主要是M14工厂。

中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2017年NAND Flash存储密度达到1620亿GB当量,年增长40%。邰炜表示,由于原厂全部集中在3D NAND上生产,2D NAND产出会减少,但因为市场小容量需求的存在,还有尺寸的关系,2D还是会持续2~3年的时间,用在工业、监控、汽车等领域,3D NAND在某些领域还需要时间去验证。

虽然原厂新3D NAND产出增加,但也并不能完全解决缺货的问题,因为原厂会优先供货给服务器的SSD市场,以及手机市场的需求,预计2017年智能型手机出货将达15亿台,且用户对128GB需求较高,苹果新iPhone最高容量可能再翻倍,预计部分市场供货紧张将持续到年底。

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