高通骁龙855芯片将采用台积电7纳米工艺
2017-12-26
据外媒报道，高通发布骁龙845芯片的新闻热度还未减退，现在已有针对其后继产品骁龙855的传闻。骁龙845采用了三星10纳米FinFET工艺，而骁龙855将采用最新的7纳米工艺技术。
日经新闻称，鉴于骁龙835和845已由三星生产，高通将选择台积电代工骁龙855。台积电还将为高通打造下一代用于智能手机和轻便敞篷车的调制解调器芯片。
高通的芯片广泛应用于全球高端安卓智能手机，从三星到台积电的转变是个重磅消息。2017年，骁龙 835广泛应用于三星盖世S8/S8 +、谷歌Pixel 2/Pixel 2 XL、HTC U11/U11 +、一加5和LG V30等智能手机。骁龙835还将应用于一系列基于Windows 10的轻便笔记本电脑和敞篷车。据估计，随着三星盖世S9/S9+等产品的发布，骁龙 845将在2018年继续保持态势。可见，骁龙855有望在2019年占领移动市场。
台积电首款7纳米芯片将于2018年上半年量产，而采用极紫外(EUV)技术的第二代7纳米+芯片将于2019年上市。三星有望在2018年下半年推出首款7纳米+EUV芯片。
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