中芯国际、绍兴市政府、盛洋集团共同出资的中芯集成电路制造（绍兴）有限公司项目正式签约。项目总投资达58.8亿元，面向MEMS和功率器件等领域的晶圆和模组代工，建设完成后将形成一个综合性的特色工艺制造基地。

对于中芯国际，业界目前的关注点大多集中在28-14纳米先进工艺的开发及量产之上。然而，事实上成熟特色工艺一直在中芯国际的发展中占有重要地位，不仅在公司营收及获利上占据半壁江山，满足着客户的大量需求，中芯国际亦长期坚持“先进工艺与成熟工艺两条腿走路”的发展策略。随着当前中芯国际进入转型过渡期，加强特色工艺更具有特殊意义。

先进工艺量产显露曙光

台积电、三星全球晶圆代工大厂快速朝向10纳米以及7纳米工艺演进，引燃了业界对摩尔定律前进步伐的关注热情，同时对中芯国际的观察重点也锁定在了28-14纳米等先进工艺的开发之上。业界公认28纳米是长寿命节点。据IBS公司的预测，随着28纳米工艺逐步成熟，市场需求呈现快速增长的态势，从2012年开始的每年91.3万片、2014年的294.5万片，一直增长到2017年的463.3万片，预测即便到2020年市场需求仍可达428.7万片/年。

经过近两年来的不断摸索，中芯国际在28纳米上取得较大进展。日前，中芯国际发布的2017年第四季度财报显示，28纳米营收所占比例大幅提升，从第三季度的8.8%提升至第四季度的11.3%，在2017年的整体销售额占比也达到了7.9%。这样的产量规模显示，中芯国际对28纳米PloySiON工艺的掌握上已经相对稳定，如此方能大幅推进产量提升。

中芯国际联合CEO梁孟松在2017年第四季度业绩电话会议上表示，将于2018年中期量产28nm HKMG和HKMG+，下半年批量量产。这个计划一旦成功，28纳米制程技术节点将完全被打通。由于28纳米工艺制程的特殊地位，意味着中芯国际在先进工艺的发展上，向前迈进了一大步。此外，中芯国际也在积极向前推进14纳米。近日，中芯国际增资中芯南方，持股比例变为50.1%，国家集成电路产业投资基金和上海集成电路基金分别拥有中芯南方27.04%和22.86%的股权，成为第二和第三大股东。中芯南方的发展重点为14纳米，预计中芯国际14纳米将于2019年上半年投产。

中芯进入转型过渡期

综观2017年全年，中芯国际销售额约为31.01亿美元，毛利7.41亿美元，全年毛利率约23.9%。虽然，全年增长与行业平均值持平，但毛利率与2016年相比有所下跌，由2016年的30.2%跌至2017年的23.9%。先进工艺量产取得突破固然是2017年第四季度财报的一大亮点，毛利率却为公司业绩蒙上一层阴影。梁孟松也表示，虽然28纳米营收比例超出预期的10%，但是由于产品竞争激烈，28纳米产品ASP有所下滑，也对2017年第四季度毛利产生了一定的影响。

事实上，在过去几年当中，中芯国际凭借着高产能利用率，推动收入和盈利取得双增长。然而，所有公司的发展都是在积累与成长中循环的。按照中芯国际联合CEO赵海军的观点：中芯国际目前正处于转型过渡期，需要为快速满足客户的技术迁移做好准备，以面对日新月异的产业环境。

由于公司进入过渡期，需要为下一阶段的成长准备好技术和工厂，因此用于先进工艺的研发开支和产能扩充支出，以及折旧费用大幅度增加，反馈到财务表现上就是毛利率有所下滑。在这种情况下，加强成熟特色工艺就显得更加重要。它将发挥稳定器的作用，保证中芯国际可以取得相对稳定的营收与获利。随着智能化社会的到来，物联网、车载、工控等应用领域市场蓬勃发展，基于特色工艺的微机电系统是智能化的核心之一，成熟特色工艺的发展必不可少。中芯国际董事长周子学也表示，中芯国际在微机电和功率器件特色工艺领域已有近10年的耕耘，有信心打造出一个国内领先、世界一流的特色工艺半导体企业。

成熟特色工艺重要性凸显

2018年中芯国际的挑战并不少，厦门联芯28纳米2017年已经量产，今年台积电南京厂的16纳米提前至5月量产，此外格罗方德成都厂有望于2019年导入22纳米FD SOI工艺等。国际代工大厂在先进工艺上对中国客户的争夺正趋激烈。

正因如此，先进工艺与成熟工艺两条腿走路对于中芯国际非常重要。一方面，追赶国际先进主流工艺的进步步伐；另一方面，大力挖掘成熟工艺，发挥差异化优势，为客户提供增值服务，为公司获得相对稳定的收入。

对此，半导体专家莫大康指出，28纳米HKMG及16/14纳米的FinFET工艺都是先进工艺制程中的“拦路虎”，但又必须尽快地迈过去。坚持“先进工艺与成熟工艺两条腿走路”的发展策略，将使道路走得更加稳健。

从市场层面观察，随着物联网的兴起，特色工艺的重要性正日渐凸显。物联网市场是半导体业内的杀手级应用，不需要依赖先进工艺制程，其产品设计和制程模式在成熟工艺制程下将非常匹配中国国内企业。因此，中芯国际应对市场的策略是专注先进制程开发，同时在特色工艺上深耕细作，坚持两条腿走路，确保在业界的竞争优势。

资料显示，这些年来，中芯国际在特色工艺上也有很多突破，包括CIS-BSI（背照式CMOS图像传感器）、55纳米eFlash（嵌入式闪存）、38纳米独立NAND闪存、为TDDIC（显示驱动IC）而开发的MTE（成熟技术优化）95纳米，以及MEMS-IMU（惯性测量装置）制程技术等。