近期以来，在快闪存储器（Nand Flash）市场竞争激烈的情况下，各家厂商开始寻求新技术的产品来满足市场的需求。因此，厂商们都开始将目光转向了QLC架构的快闪存储器上。之前包括英特尔（Intel）、美光（Micron）、西数（WD）、东芝（Toshiba）等大厂就已经宣布推出了QLC架构的快闪存储器，现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC快闪存储器的SSD。

　　三星表示，全新的QLC快闪存储器被称之为4-Bit QLC快闪存储器，同时三星也指出，已经开始量产基于4-Bit QLC快闪存储器的消费级SSD。这些SSD从1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三种规格。三星还表示，全新的4-Bit V-NAND芯片可以达到单颗1Tb的规模。同时，三星也可以凭藉该项技术，轻而易举地制造出超过128GB的TF卡。

　　三星进一步表示，4-Bit QLC快闪存储器能够让SSD达到540MB/s的持续读取速度，以及520MB/S的持续写入速度。并且QLC架构的快闪存储器可以让这些SSD产品从1TB起步，最高达到4TB的容量。

　　事实上，三星相对于其他厂商来说，虽然是最早喊出QLC架构快闪存储器的厂商，但是过去仅有到第5代3D堆叠超过90层的V-NAND进入量产。而第5代V-NAND为每cell纪录3Bit的效能，明显无法与当前的4Bit产品相比。如今，正式推出4-Bit QLC架构的快闪存储器后，算是正式追赶上其他厂商的脚步。不过，三星的4-Bit QLC架构的快闪存储器单颗1Tb的规模，仍是要低于仍是要低于东芝与威腾电子合作开发出的最大单一晶粒容量1.33Tb的产品。

　　而目前三星尚未公布新一代QLC架构快闪存储器所打造的SSD的价格。