2019年6月3日，人们日报消息称，工业和信息化部将于近期发放5G商用牌照，我国将正式进入5G商用元年。

　　5G技术的建设和发展提高了电子技术对高温、高功率、高压、高频的器件需求，与此同时，新能源汽车、汽车电子、轨道交通等产业的快速推进，对微电子元件领域的要求也越来越高。于是第三代半导体应运而生。

　　氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体，可承受更高的工作电压，意味着其功率密度及可工作温度更高，因而具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持宽带宽等特点，是实现5G的关键材料。

　　据Yole预测，2020年末，GaN射频器件市场规模将扩大至目前的2.5倍。2019-2020年，5G网络的实施将接棒推动GaN市场增长。未来10年，GaN市场将有望超过30亿美元。

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