中国最大的芯片代工厂中芯国际出现重大人事变动,其联席CEO梁孟松宣布辞职,此举对中国芯片制造行业影响巨大,导致的重大后果就是中国的芯片制造工艺再次止步不前。

梁孟松对中芯国际的意义有多大?看看中芯国际的工艺研发进程就明白了,2015年中芯国际就投产了28nm工艺,2016年蒋尚义加入中芯国际,然而中芯国际在14nmFinFET工艺研发上却迟迟看不到突破的希望,相比之下台积电和三星则几乎1-2年就升级一代芯片制造工艺,值得注意的是这个阶段三星恰恰是在梁孟松的带领下加快了工艺研发进程。

2018年梁孟松加入中芯国际,2019年中芯国际即实现了14nmFinFET工艺的投产,由此可见梁孟松对于中芯国际的14nmFinFET工艺研发起到了关键作用,尤其重要的是在梁孟松的领导下,中芯国际加快了追赶的步伐。

据报道指出中芯国际已研发完成了7nm工艺,这意味着梁孟松加入中芯国际之后用不到两年时间就跨越了14nmFinFET、10nm、7nm三代工艺,帮助中芯国际节省了3-5年的追赶时间,对比之下中芯国际之前在2015年至2018年期间几乎毫无建树导致它的芯片制造工艺与台积电的差距越拉越大,这一对比更加凸显出梁孟松对中芯国际的贡献。

媒体报道指出梁孟松领导下还完成了5nm和3nm的最关键、也是最艰巨的8大项技术,这意味着只要再花一两年时间,以及获得EUV光刻机,那么中芯国际将很快与台积电和三星并起并坐。

梁孟松在台积电、三星和中芯国际所从事的工作一直都是核心技术研发人员,而他在这些企业所取得的成绩,证明了他在技术研发方面的前瞻性,这种前瞻性对于中芯国际这家还在摸索前进的企业来说尤其重要。

芯片制造工艺是一项涉及多个方面的技术研发工程,有梁孟松这样的领路人可以少走许多弯路,节省许多时间和金钱,这对于正处于追赶中的中芯国际来说非常重要,然而如今随着梁孟松的离职,中芯国际的研发进程可能将再一次陷入停滞。

正如此前的2015年至2018年,在中芯国际的原有领导班子带领下,三年时间几乎无所建树,如今7nm及更先进工艺制程本来就面临着EUV光刻机的供应难题,再在技术研发上遇到阻碍,它的先进工艺制程研发只会再次止步不前。

对于中国芯片产业来说,芯片制造已成为最大的短板,本来在梁孟松带领下看到了加速的希望,如今梁孟松的离职,中国的芯片制造再次遭受重挫,这对于中国芯片产业来说可谓一大悲哀。