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Intel拿下首批第二代High-NA光刻机,斥资200亿美元建厂

2022-01-21
来源:OFweek电子工程网

1月19日,ASML宣布2022年一季度,其第二代High-NA光刻机TWINSCAN EXE:5200获得了首个订单,第二代High-NA光刻机被用于2NM制程芯片制造,有望在2024年实现交付。

自2017年ASML的第一台量产的EUV光刻机正式推出以来,三星的7nm/5nm工艺,台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产都是依赖于0.55 数值孔径的EUV光刻机来进行生产。

目前,台积电、三星、英特尔等头部的晶圆制造厂商也正在大力投资更先进的3nm、2nm技术,以满足高性能计算等先进芯片需求。而3/2nm工艺的实现则需要依赖于ASML新一代High-NA EUV光刻机EXE:5000系列。

ASML目前正在开发当中的第二代High-NA EUV光刻机是基于 0.33 数值孔径透镜的 EUV 光刻系统的迭代产品,其具有 0.55 数值孔径的镜头,分辨率为 8 纳米,而现有的0.33 数值孔径透镜的 EUV 光刻系统的分辨率为 13 纳米,使得芯片制造商能够生产3/2nm及以下更先进制程的芯片,并且图形曝光的成本更低、生产效率更高。

但是,0.55 NA EUV光刻系统造价相比第一代的EUV光刻机也更高。据 KeyBanc 称,一台0.55 NA EUV光刻系统的成本预计为3.186亿美元,而目前正在出货的EUV光刻系统则为1.534亿美元。

早在2021年7月底的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,英特尔已宣布将在2024年量产20A工艺(相当于台积电2nm工艺),并透露其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。

拿下首批第二代High-NA光刻机的企业正是Intel

2021年30年老将帕特·基辛格重回Intel担任CEO之后,他推出了IDM 2.0战略,意图重振Intel在半导体制造上的领先地位。美国是半导体技术的发源地,基辛格在Intel工作的30年内见证了美国及Intel最辉煌的时刻,然而现在美国公司在全球半导体生产中的份额已经下滑到了12%,先进工艺生产转移到了亚洲地区,所以基辛格上任之后一直呼吁加大投资,让美国重新夺回至少1/3的半导体制造份额。

这也是从战略层面Intel要进军2nm的原因。

在搭建整合先进制程方面Intel有着自己的考虑,英特尔期望能在晶圆制造领域超过龙头台积电。与此同时,英特尔还大量采用台积电的晶圆代工服务,预期未来几年会成为台积电的大客户之一。

台积电此前已经向ASML采购High-NA研发型EUV光刻机EXE: 5000,在Intel采购TWINSCAN EXE:5200后,台积电预计在今年会跟进下单TWINSCAN EXE:5200。

无独有偶,2021年三星电子半导体收入大增31.6%至759亿美元(约合4815亿元人民币),超越Intel成为全球收入最高的芯片制造商。而位居第二的Intel去年半导体收入为731亿美元,仅增长了0.5%,是排名前25位芯片制造商中销售额增长最慢的一家。Intel一直把持住的服务器处理器领域,也被其竞争对手AMD疯狂抢走份额,在这个领域,AMD市占率已从第14位飙升到第10位。

无论是在芯片制造,还是在芯片设计,Intel都有被反超落下的风险。

为此,Intel在本周五宣布将斥资200亿美元推进IDM 2.0战略,在美国俄亥俄州建厂。

三星、台积电、Intel、AMD、NVIDIA等芯片领域的巨头,都不约而同的在21世纪第二个十年陷入了芯片“军备竞赛”,胜者是谁?现在下定论还为时尚早,各位看官还请拭目以待。




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