《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 模拟设计 > 业界动态 > ASML中国:让摩尔定律重焕光彩,1nm不是难事

ASML中国:让摩尔定律重焕光彩,1nm不是难事

2022-05-19
来源:21ic
关键词: ASML 摩尔定律 1nm

5月16日是联合国教科文组织定义的“国际光日”,ASML中国官方在一篇微信推送中写道“创新,让摩尔定律重焕光彩”。

ASML中国强调,过去15年,摩尔定律依然生效且状况良好,未来十年甚至更长时间内将继续保持势头。

ASML自信满满地指出“在元件方面,目前的技术创新足够将芯片的制程推进至至少1纳米节点,包括gate-all-around FETs(环绕栅极晶体管),nanosheet FETs,forksheet FETs以及complementary FETs”。

此外,光刻系统分辨率的改进(预计每6年左右缩小2倍)和边缘放置误差(EPE)对精度的衡量也将进一步推动芯片尺寸缩小的实现。

据了解,纳米之后将进入埃米时代,台积电、Intel等都制定了雄心勃勃的埃米工艺早期路线图。也许,技术创新之所以弥足珍贵,内核要义就在于不会被困难打倒。




1最后文章空三行图片11.jpg


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。