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涉专利侵权!长江存储在美起诉美光!

2023-11-13
来源:电子技术应用ChinaAET
关键词: 长江存储 美光 专利

  长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司(下称“美光”)及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称,诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

  长江存储是国内最大的3D NAND Flash(闪存芯片制造)厂商。长江存储在起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新。

  据悉,本次涉案的长江存储的美国专利包括:US10,950,623(3D NAND存储器件及其形成方法)、US11,501,822(非易失性存储装置及控制方法)、US10,658,378(三维存储器件的直通阵列接触 (TAC))、US10,937,806 (三维存储器件的直通阵列接触 (TAC))、US10,861,872(三维存储器件及其形成方法) 、US11,468,957(NAND存储器操作的体系结构和方法)、US11,600,342(三维闪存的读取方法)、US10,868,031(多层堆叠三维存储器件及其制造方法)。

  长江存储在以上起诉书中称,长江存储不再是新秀(upstart),而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示,去年11月,分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论:长江存储是3D NAND闪存领域的领导者,超过了美光。

  长江存储表示,目前其已经是全球3D NAND市场的领导者。2022年11月,半导体研究机构TechInsights在一项分析后得出的结论:“长江存储所取得的成就令人惊叹,现在是3D NAND 闪存领域的领导者”,“一举超越了美光”。

  2018年,长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片,2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存,2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。

  特别值得一提的是,近年来,随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围CMOS电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。为了解决这一问题,长江存储在2018年推出了自研的创新的Xtacking技术。

  Xtacking是通过将两块独立的晶圆分别制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路,然后将CMOS逻辑电路堆叠在NAND阵列之上,二者之间的垂直连接则需要相应的键合技术来实现,形成间距为10μm 及以下的互连,且不会影响 I/O 性能。另外,由于两种类型的芯片可以在不同的生产线上制造,因此可以使用各自优化的工艺节点分别生产,不仅可以缩短生产周期,还可以降低制造复杂度和成本。此外,该技术也使得每平方毫米的存储密度、性能和可扩展性可以进一步提高。目前长江存储的Xtacking技术已经进展到了3.0版本。

  2022年10月,美国商务部工业和安全局发布出口管制新规,限制对中国出口芯片制造设备等,将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月,美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。

  长江存储作为国内最大的3D NAND制造厂商,自去年以来受到美方的打压,无法获取先进的美日荷设备,产能扩张受到了限制。此次,长江存储通过对美国存储芯片大厂美光发起专利诉讼,维护自身权益,不仅反应了自身技术的领先性,也体现了国内受制企业敢于“亮剑”的精神。


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