在半导体行业的激烈竞争中，英特尔和台积电正展开一场激动人心的工艺之争，吸引了业界的广泛关注。两家企业最新的 18A 工艺和 N2 工艺带来了一场技术与创新的角逐。

● 英特尔首席执行官 Pat Gelsinger 相信将在未来几年击败台积电。在接受采访时，强调了 18A 工艺（1.8 纳米）与台积电的 N2（2 纳米）节点。18A 和 N2 都将利用 GAA 晶体管 ( RibbonFET ) ， 1.8 纳米级节点将采用 BSPND，一种可优化功率和时钟的背面功率传输技术。

● 当然台积电相信其 N3P（3 纳米级）技术将在功耗、性能和面积（PPA）等方面与英特尔的 18A 相媲美，而其 N2（2 纳米级）将在所有方面超越之。

一）两家的争斗

英特尔的 20A（2 纳米级）和 18A（1.8 纳米级）制造技术即将比台积电的相应制造工艺提前推出。

英特尔的 20A 制造技术计划于 2024 年推出，将引入 RibbonFET 环绕栅极晶体管以及背面供电网络（BSPDN）两项创新技术，旨在实现更高的性能、更低的功耗和增加的晶体管密度。与此同时，英特尔的 18A 生产节点旨在进一步完善 20A 的创新，并在 2024 年底至 2025 年初提供进一步的 PPA 改进。

台积电的 3 纳米级 N3、N3E、N3P 和 N3X 制造工艺都依赖于成熟的 FinFET 晶体管和传统的电源传输网络。

台积电似乎不急于推出其纳米片 GAA 晶体管和 BSPDN，前者将由台积电的 N2 节点引入，计划在 2025 年下半年实现大规模生产，而后者将在 N2P 上加入，计划在 2026 年底开始大规模生产。 台积电在财报电话会议中表示：" 内部评估显示，台积电的 N3P 与 [ Intel ] 18A 相媲美，但上市时间更早，技术成熟度更高，成本也更低。不带背面电源的 2 纳米技术（N2）比 N3P 和 18A 都更先进，并将在 2025 年推出时成为半导体行业最先进的技术。"

英特尔未来几年的主要目标之一是在技术领导力方面击败台积电，并从需要领先工艺节点的公司中获得晶圆代工订单。英特尔计划在未来五个季度推出三个先进的制造工艺，并在 2024 年下半年至 2025 年上半年开始 2 纳米和 1.8 纳米级制造技术的大规模生产。台积电认为即使是将在 2025 年投入使用的 N3P 节点，在性能、功耗和成本等方面也能够与英特尔的 18A 相媲美，而 N2 将在市场上投放一年后超越它。显然台积电对其即将推出的工艺节点非常自信。

二）背面供电网络（BSPDN）

从表面上看，台积电在工艺技术和代工设计方面一直领先，拥有强大的生态系统。英特尔凭借 18A 工艺取得的进展表明，半导体竞技场上的竞争远比外界所见更为激烈。背面供电技术是一项颇具潜力的创新，英特尔成为首家将其实践应用的公司，通过将电力传送到芯片背面而非正面，为热管理和整体性能提供了优势。有效的散热和电力传输有助于优化芯片布局和设计，改进功能和热量分布。这一创新的实施使英特尔再次站在半导体制造的最前沿，实现了戈登 · 摩尔的愿景。

台积电和三星也将进入背面供电领域，但相较于英特尔，可能需要一两年的时间。台积电在这方面的优势之一是与客户的紧密合作，为其成功提供了强大支持。英特尔在内部生产 CPU 小芯片，同时将小芯片和 GPU 外包给台积电（N5-N3）。英特尔是否能够在内部生产 18A 及以下的所有小芯片，尤其是在与 AMD 和 Nvidia 等竞争对手的比较中。

工艺领先固然重要，但在代工行业，客户支持同样至关重要。如果英特尔能够在合理时间内完成 BPD 版本，并吸引更多客户，那么这可能成为其新的代工收入来源。然而，在与像台积电这样的业界巨头竞争时，英特尔需要着眼于大量客户芯片的生产，这将是其持续成功的关键。

小结：英特尔与台积电的工艺之争为半导体行业带来了一场激动人心的竞赛，我们将见证这场竞争的发展，看看谁能在技术创新和客户支持方面取得更大的优势。