8 月 12 日消息，美光首席商务官 (CBO) Sumit Sadana 在出席美国当地时间昨日举行的 2025 年 Keybanc 技术大会时表示，定制 HBM 内存将在 HBM4 后的 HBM4E 时代正式落地。

Sumit Sadana 提到，从 HBM4 开始 HBM4 内存基础芯片 Base Die 采用逻辑 CMOS 制程，现阶段该芯片主要包含内存接口 IP；而在 HBM4E 世代一些客户希望将 AI xPU 的特定功能电路卸载到 HBM 的 Base Die 中，提升 xPU 的芯片面积利用率，而这就诞生了所谓的“定制 HBM 内存”。

这一转变意味着 HBM 内存不再仅是 AI xPU 的片外缓存拓展，亦是 xPU 逻辑功能的组成部分，定制 HBM 内存无法与 JEDEC 标准 HBM 直接兼容。

另一方面，HBM 基础芯片的定制过程非常昂贵，因此除了英伟达这样的 AI 芯片霸主外大多数 xPU 企业没有足够资源就单个芯片与三大 HBM 内存原厂同时建立定制合作，这意味着其定制 HBM 供应被迫锁定在一至二家原厂上。

这一供需结构变化将深刻改变 HBM 内存市场，形成大量“特供”定制 HBM 合作。

美光同日宣布将 2025 财年第四财季（注：截至 8 月 28 日）的财务数据指引全面上调，其中营收从 107±3 亿美元增至 112±1 亿美元。Sumit Sadana 在解释数据变化时表示，美光并未改变对出货量的预期，营收指引提升与平均单价的走高有关，而这受 AI 与数据中心需求强劲、HBM 挤压非 HBM 的 DRAM 产能影响。