据标述科技报道，浙江晶盛机电股份有限公司近期在其投资者关系活动中确认，公司首条12英寸碳化硅衬底加工研发中试线已于2025年9月26日在其子公司烁科晶研正式贯通。报道指出，该中试线的关键突破在于其所有环节设备均为自主研发，实现了100%国产化。

12英寸碳化硅技术浪潮兴起

报道指出，增大晶圆尺寸是降低成本的关键路径。据晶盛机电表示，与当前主流的8英寸产品相比，12英寸碳化硅衬底每片晶圆可产出的芯片数量提升约2.5倍，将在大规模量产时显著降低单位成本。

报道援引行业分析称，一旦12英寸衬底进入量产阶段，单片成本有望下降约40%，而车规级功率模块单价可能从目前的150美元左右降至约90美元。报道补充指出，这将为新能源汽车、光伏发电、5G通信等下游领域的成本优化发挥关键作用。

在晶盛机电推进技术的同时，其他公司也在推动12英寸碳化硅的发展。报道强调，随着国内企业中科钢研的12英寸碳化硅衬底线良率已达65%并目标在2025年底实现量产，以及英飞凌与天科合达正合作开发计划于2026年问世的12英寸沟槽栅SiC MOSFET，大尺寸碳化硅时代正加速到来。

国内产业全球影响力持续提升，自主化进程加速

在我国持续推进碳化硅产业自主可控的背景下，国内企业正快速扩大其全球影响力。报道援引行业数据称，中国在全球碳化硅衬底市场的份额预计将从2024年的35%提升至2025年的60%，设备国产化率将超过80%。根据集邦咨询数据，2024年 Wolfspeed 以34%的份额引领全球碳化硅衬底市场，但国内竞争对手天科合达和中科钢研正奋起直追，市场份额均已达到17%。

碳化硅应用领域不断拓展

报道显示，新能源汽车仍是碳化硅功率器件最大的应用市场，在2024年占据全球市场的73.1%。报道同时强调，AI数据中心正成为新的增长动力，不断上升的功耗和散热需求推动电源和冷却系统升级，碳化硅有望助力解决高端AI芯片的散热挑战。

值得注意的是，据《财富》杂志报道，英伟达据称计划在其下一代Rubin架构中采用碳化硅替代传统硅衬底，以瞄准更高性能——这一转变可能为行业开启新的机遇。