当地时间11月10日消息，晶圆代工大厂格罗方德（GlobalFoundries）今宣布，它已与台积电就650V和80V氮化镓（GaN）技术签订了技术许可协议。这一战略举措将加速格芯在数据中心、工业和汽车电源应用中的下一代氮化镓产品，并为全球客户群提供美国的氮化镓产能。

格罗方德表示，随着传统硅CMOS技术达到其性能极限，GaN正在成为下一代解决方案，以满足电力系统对更高效率、功率密度和紧凑性日益增长的需求。格罗方德正在开发全面的氮化镓产品组合，包括高性能的650V和80V技术，旨在支持电动汽车、数据中心、可再生能源系统和快速充电电子产品。格罗方德的GaN解决方案专为恶劣环境而设计，采用涵盖工艺开发、器件性能和应用集成的GaN可靠性整体方法。

格罗方德将在其位于佛蒙特州伯灵顿的制造工厂对获得许可的氮化镓技术进行认证，利用该工厂在高压硅基氮化镓技术方面的专业知识，为寻求下一代功率器件的客户加速批量生产。开发计划于 2026 年初进行，生产将于今年晚些时候开始。

格罗方德电源业务高级副总裁Téa Williams表示：“该协议加强了格罗方德对创新的承诺及其对差异化技术的战略重点，这些技术解决了我们用于生活、工作和连接的基本功率设备。通过加入这种经过验证的 GaN 技术，我们将加速下一代 GaN 芯片的开发，并提供差异化的解决方案，以解决从数据中心到汽车和工厂车间的关键任务应用的关键功率差距。”