8 月 4 日消息，SK 海力士宣布联合闪迪（Sandisk），将在美国加州举办的闪存峰会 2026（FMS 2026）期间共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个标准规范。注：HBF 是介于 HBM 和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与 HBM 类似的高速数据传输能力，还可基于 NAND 闪存大幅提升容量。在 AI 推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势受到业界关注。

此次发布的标准规范，是继 SK 海力士去年 8 月与闪迪启动 HBF 标准化合作，并于今年 2 月成立联盟后，历时约 6 个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用 8 层和 16 层 NAND 芯片堆叠，最高支持 512GB 容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约 0.4TB/s 至 3.0TB/s。

值得关注的是，HBF 与处理器之间采用行业标准 UCIe 互联，为 HBF 与 GPU、CPU 等不同类型的处理器灵活连接奠定了基础。

该规范由全球最大的开放式数据中心技术合作组织 OCP（Open Compute Project）正式发布，成为行业通用开放标准，而非企业私有标准。

SK 海力士表示，以此为契机，公司计划加快 HBF 在 AI 存储市场的规模化落地，并加速构建生态体系。目前，HBF 联盟已汇聚谷歌与 Tenstorrent。未来，公司将继续依托开放合作，不断扩大生态体系，同时提升技术成熟度与市场接受度。

与此同时，SK 海力士将在 FMS 2026 设立展台，首次公开目前开发进展顺利的第十代（V10）375 层 4D NAND 闪存晶圆和产品。较上一代，其性能功耗比提升 2.5 倍，特别适用于对性能与能效要求极高的 AI 基础设施环境（例如数据中心）。公司计划于明年初启动基于此 NAND 闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘（eSSD）量产。