《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 模拟设计 > 业界动态 > Maxim推出高压、高速MOSFET驱动器用于驱动高边和低边n沟道MOSFET

Maxim推出高压、高速MOSFET驱动器用于驱动高边和低边n沟道MOSFET

2008-07-21
作者:Maxim
    Maxim推出高压、高速MOSFET驱动器MAX15018/MAX15019,用于驱动高边" title="高边">高边和低边n沟道MOSFET。器件具有高端(HS)引脚,允许高达125V的输入电压,该指标优于竞争产品的105V电压。MAX15018/MAX15019与工业标准的HIP2100IB和HIP2101IB引脚兼容,理想用于必须承受100V" title="100V">100V或更高瞬态电压的电信电源产品中,保证足够的安全裕量。 

    MAX15018/MAX15019提供3A" title="3A">3A源出/吸入峰值电流,传输延迟" title="传输延迟">传输延迟仅为35ns (典型值),驱动器之间能够保证2ns (最大值)的传输延迟匹配,可理想用于高频电源。针对TTL或CMOS兼容的同相/同相或同相/反相逻辑输入" title="逻辑输入">逻辑输入,提供多种版本的器件以供选择。无论V+电源电压为多少,逻辑输入均可承受高达+15V的电压。MAX15018/MAX15019提供标准和增散强热的8引脚SO封装,工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。
本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。