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TI推出TPS51200新一代3A DDR终端稳压器

2008-08-11
作者:美国德州仪器

     日前,德州仪器(TI)宣布推出一款可满足DDR、DDR2、DDR3与DDR4等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极/源极双数据速率(DDR)终端稳压器" title="终端稳压器">终端稳压器TPS51200。该简便易用的新型稳压器的陶瓷输出电容" title="输出电容">输出电容仅为20μF,比同类竞争解决方案的电容降低了近80%。这样,设计人员" title="设计人员">设计人员可利用该器件实现更低成本、更小型化的DDR存储器终端解决方案,以满足数字电视、机顶盒、VGA卡、电信、数据通信、笔记本以及台式机电脑等现代大容量" title="大容量">大容量存储器电子产品以及日益丰富的消费类电子产品的需求。    

 

    高宽带内部跨导,Gm放大器与积分动态电压定位均可支持超快瞬态响应,而且外部输出电容极小。在负载变动幅度为-1.5A~+1.5A的典型应用中,输出电压偏移小于25mV。TPS51200能在2.375V~3.5V的偏置电压下工作,这使它在系统仅有2.5V或3.3V电轨的条件下极具竞争力。此外,在RAM暂停工作时,该器件还支持S3睡眠状态控制。

 

    TPS51200也可用作输入电压范围为1.1V~3.5V的通用高性能低降压(LDO)稳压器。当启用引脚连接至系统总线电压时,该器件支持跟踪启动与断电功能,这使设计人员可以轻松实施多轨系统电压排序,从而简化设计流程。

    

    TPS51200的推出进一步增强了TI丰富的DDR存储器电源解决方案系列,其中包括支持TPS51100DDR终端稳压器,集成汲极/源极LDO的TPS51116DDR电源转换开关以及支持DDR终端的TPS40042低电压" title="低电压">低电压跟踪开关稳压器。TPS51200还进一步丰富了TI面向存储器技术领域已经非常广泛的DDR、DDR2与DDR3锁相环(PLL)以及LDO产品,其中包括SN74SSQE32882,作为支持寄存式双列直插式存储器模块的PLL集成式DDR3寄存器,现已全面投入量产。    

 

    供货情况    

    采用散热性能增强型SON-10PowerPAD集成电路封装的TPS51200产品现已批量上市,可通过TI及其授权分销商订购。

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