IR 新型-30V P 沟道功率 MOSFET 使设计更简单灵活
2010-09-15
作者：IR
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“相比上一代产品，这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力，更为客户提供广泛的导通电阻选择，以适应他们对温度和成本的要求。同时，P 沟道技术也可以简化电路设计。”
P 沟道 MOSFET器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 标准，所采用的材料不含铅，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
产品规格
|
器件编号 |
封装 |
BV (V) |
最大Vgs (V) |
10V下的 典型/ 最大 RDS(on) (mΩ) |
4.5V下的 典型/ 最大 RDS(on) (mΩ) |
|
IRF9310 |
SO-8 |
-30 |
20 |
3.9 / 4.6 |
5.8 / 6.8 |
|
IRF9317 |
SO-8 |
-30 |
20 |
5.4 / 6.6 |
8.3 / 10.2 |
|
IRF9321 |
SO-8 |
-30 |
20 |
5.9 / 7.2 |
9.3 / 11.2 |
|
IRF9328 |
SO-8 |
-30 |
20 |
10.0 / 11.9 |
16.1 / 19.7 |
|
IRF9332 |
SO-8 |
-30 |
20 |
13.6 / 17.5 |
22.5 / 28.1 |
|
IRF9333 |
SO-8 |
-30 |
20 |
15.6 / 19.4 |
25.6 / 32.5 |
|
IRF9335 |
SO-8 |
-30 |
20 |
48 / 59 |
83 / 110 |
|
IRF9362 |
SO-8 (dual) |
-30 |
20 |
17.0 / 21.0 |
25.7 / 32 |
新器件现已接受订单，数据和应用说明已刊登于 IR 的网站 http://www.irf.com。
专利和商标
IR是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。
IR简介
国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。