头条 中国电子技术标准化研究院回应“充电宝3C认证全面失效” 11 月 27 日消息，11 月 25 日有报道称，《移动电源安全技术规范》（征求意见稿）（以下简称“新规”）显示，与旧标准相比，新国标在整机、线路板和电芯三大技术领域提出了数十项严苛改进。 最新资讯 Littelfuse的瞬态抑制二极管阵列对抗静电放电（ESD）和雷击导致的浪涌现象的性能比同类产品强40% Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，现宣布推出SRDA3.3系列瞬态抑制二极管——SPA®系列二极管。 SRDA3.3系列 将低电容控向二极管与附加的齐纳二极管相结合，以保护数据线路免受静电放电（ESD）和高浪涌事故的危害。 SRDA3.3系列器件的保护能力比其他可用解决方案高40%，且性能也毫不逊色。 这些器件的瞬变功耗最高为600W，电源处理能力比市场同类解决方案高出20%。 SRDA3.3系列的低负载电容为10pF (最大值)， 比其他解决方案低50%，这使得该产品成为保护电信接口的理想选择，且无需牺牲信号的完整性。 发表于：7/18/2013 艾默生网络能源推出一款成本极具竞争优势、而且可在整个输入电压范围内提供1500W 全功率输出的交流/直流电源 艾默生网络能源（Emerson Network Power）是艾默生集团（纽约证券交易所代号：EMR）的其中一个业务部门，专为世界各地的OEM厂商提供高度灵活的嵌入式计算技术和电源产品，这方面的技术一直居世界前列。该公司宣布推出一款全新的1500W交流/直流电源，其特点是在90至264Vac宽范围交流输入电压下，可全功率输出，尤其在低电压输入情况下无任何降额。这方面与市场上许多同类产品不同。 发表于：7/18/2013 Fairchild韩国8寸晶圆生产线正式启用 快捷半导体(Fairchild Semiconductor)宣布，该公司位于韩国富川的 8寸晶圆生产线正式启动。该新厂象征公司专注于创新功率半导体解决方案，以及在提高产品品质及回应不断变化的市场动态方面进行投资。该厂于7月1日提前完工并已投入生产。7月10日正式举行开业仪式。 发表于：7/17/2013 罗姆与Avnet Internix共同发售适用于赛灵思7系列FPGA及Zynq -7000 的电源模块板 日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）与电子元件及嵌入式解决方案的大型商社美国安富利电子元件（安富利EM）的日本业务公司Avnet Internix K.K.（总部位于日本东京）联合开发出一款电源模块板，此产品非常适用于赛灵思产品---赛灵思7系列FPGA及Zynq™-7000 All Programmable SoC的评估套件。 发表于：7/16/2013 Frank：欧盟防堵中国光伏产品是不理智的 “2013APEC工商领导人中国论坛”于7月13日-14日在北京召开。 发表于：7/16/2013 中日光伏装机占比超全球1/3 中欧贸易谈判举步维艰，价格和数量分歧较大，这使得中国光伏企业更加依赖新兴市场，尤其以日本和国内市场为主。根据NPD Solarbuzz发布的数据，2013年下半年中日两国光伏装机量全球占比将达到45%，按照下半年全球装机20GW算，中国和日本的光伏装机量会达到9GW。 发表于：7/16/2013 基于在线软件工具的数字电源UCD92xx反馈环路调试指南 基于UCD92xx 的非隔离数字电源系统由控制芯片和功率级芯片构成。功率级芯片由Mosfet 驱动和功率Mosfet组成，包括独立的Mosfet 驱动（如UCD7232），或者集成Mosfet 的功率级芯片（如UCD7242 和UCD74120等）。通过与UCD92xx 配套使用的在线工具Fusion Digital Power Designer 可以在线调节反馈环路，提高环路调节的效率。本文在一款基于UCD9224 和UCD74120 的数字电源板上演示如何在线调节环路。 发表于：7/16/2013 ADIDAuM5010隔离DC－DC控制器参考设计方案 ADI公司的DAuM5010是一款双通道内部集成数字隔离DC－DC转换控制器。基于ADI公司先进iCoupler技术，数字隔离DC－DC转换控制器提供隔离调整电压范围：3.15－5.25V，输入电压的范围可以从供给略低于所需的输出来显著提高。 发表于：7/16/2013 Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻，是首款-40V P沟道Gen III器件；SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET。 发表于：7/15/2013 下一代电动汽车：配备无线充电和锂空气电池？ 电动汽车自上世纪末现身至今，电池容量一直是困扰其发展的主要问题，而现如今，市场众多技术将帮助其找出解决方法，得到进一步发展。 发表于：7/15/2013 «…874875876877878879880881882883…»
