头条 中国电子技术标准化研究院回应“充电宝3C认证全面失效” 11 月 27 日消息，11 月 25 日有报道称，《移动电源安全技术规范》（征求意见稿）（以下简称“新规”）显示，与旧标准相比，新国标在整机、线路板和电芯三大技术领域提出了数十项严苛改进。 最新资讯 Vishay的新款FRED Pt® 超快恢复整流器减少消费类产品和电子镇流器照明中的开关损耗 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器，其中包括业界首款采用SMA封装的3A器件，采用SMB封装的3A和4A器件，以及采用SMC封装的4A和5A器件。新款整流器将极快恢复和软恢复特性，以及低正向压降和低泄漏电流等特性集于一身，可降低消费类产品、液晶电视机、电源和电子镇流器照明中的开关损耗。 发表于：6/7/2013 基于飞兆FSD器件的开关电源 飞兆半导体FSD系列绿色元件实现的反激式开关电源具有电路简单、外围元件少、总体积小、效率及可靠性高等优点。给出了变压器及RCD电路的设计分析，最后根据示波器测试结果对电路的性能进行了验证。 发表于：6/7/2013 周期供电101：降低高级传感器产品的功耗 像倾斜传感器ADIS16209（见附录）这样的传感器系统具有集成度高、规格全面的特点，采用紧凑型封装，并且价格合理，使系统开发人员能够轻松运用自己可能并不熟悉的传感器技术，从而将成本和风险降至最低。由于精度是完全按给定的功率电平确定，因而似乎会约束开发人员降低功耗的能力。但是，对于必须严格管理能量使用的应用，采用周期供电的方式为降低平均功耗提供了突破口。本文将重点讨论周期供电及其对总 体功耗的影响。 发表于：6/6/2013 Vishay的新款FRED Pt® 超快恢复整流器减少消费类产品和电子镇流器照明中的开关损耗 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器，其中包括业界首款采用SMA封装的3A器件，采用SMB封装的3A和4A器件，以及采用SMC封装的4A和5A器件。新款整流器将极快恢复和软恢复特性，以及低正向压降和低泄漏电流等特性集于一身，可降低消费类产品、液晶电视机、电源和电子镇流器照明中的开关损耗。 发表于：6/6/2013 新的LGA封装MOSFET帮助将空间受限的智能手机及平板电脑应用的能效及电池使用时间提升至极致 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 推出两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。 发表于：6/6/2013 噪声仅为 25µVRMS、具可编程电流限制和 诊断信息功能的 45V 500mA LDO 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高电压、低噪声、低压差线性稳压器 LT3055，可提供精准、可编程电流限制和诊断功能。 发表于：6/5/2013 IR推出采用SOT-23-5L封装的IRS44273L紧凑型低侧栅极驱动IC 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用SOT-23-5L高精密封装的IRS44273L低侧栅极驱动IC，能够有效提供高驱动能力。 发表于：6/5/2013 飞兆半导体技术专家在PCIM亚洲2013年功率电子论坛中 提出创新解决方案 飞兆半导体公司（纽约证券交易所代号： FCS)，高性能功率和移动半导体解决方案的全球领先供应商，将与行业和学术界专家齐聚一堂，参加2013年6月18-20日于上海国际会展中心举办的功率转换、智能运动(PCIM)中国会议，并演示有关功率电子的最新发展和未来趋势的论文。 发表于：6/5/2013 飞兆半导体的 100V BOOSTPAK 解决方案提高了可靠性， 降低了 LED 应用中的系统成本 飞兆半导体公司（纽约证券交易所代号： FCS）是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商，通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程，将 MOSFET 和二极管集成在一个封装内，代替 LED 电视 / 显示器背光、LED 照明和 DC-DC 转换器应用中目前使用的分立式解决方案。 发表于：6/5/2013 Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道 功率MOSFET家族 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指标。 发表于：6/5/2013 «…886887888889890891892893894895…»
