头条 东风汽车全新固态电池下半年量产装车 6月9日，“武汉经开区”官方账号宣布，下半年东风全新一代固态电池将量产装车。该款电池能量密度可达350Wh/kg，是国内率先实现规模化应用的高能量密度固态电池，配套的新能源车型纯电续航有望突破1000公里。该电池移除易燃电解液改用固体电解质，可从根源降低起火爆炸风险，采用量产落地速度快的氧化物-聚合物复合技术路线，成本更低且和现有车企产线适配度高。东风该款固态电池全核心技术自研率达100%，此前已完成多轮严苛测试与示范运营，累计安全行驶里程超320万公里，后续研发团队将攻关前沿电池技术，规划2027年实现下一代高比能电池装车。 最新资讯 IR推出40V IR4311M 和IR4312M 以扩充PowIRaudio集成式功率模块系列 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR4311M 和IR4312M，以扩充PowIRaudio™ 集成式功率模块系列。全新40V IR4311M 和IR4312M为低功率D类音频应用提供紧凑的解决方案，且不用添加散热器，这些应用包括桌面音频系统、有源扬声器和配备集成放大器的乐器等。 发表于：2013/1/14 OnSemiNPC133760W适配器参考设计方案 OnSemi公司的NCP1337是一款结合电流模式调节器和退磁检测器的芯片，以充分确保边界线/临界传导模式在任何负载/传输线条件连同最低漏电压开关（准-谐振操作）。因为Soxyless概念，变压器铁心重置检测在内部完成，没有使用任何外部信号。根据CISPR-22EMI限制标准，内部频率被限制于130kHz，防止控制器操作达到150kHz。该芯片具有过载保护重启功能，一旦过载，设备会自动重启恢复。本文主要介绍NCP1337芯片、芯片特性、应用方向及内部 发表于：2013/1/14 瑞萨电子推出锂电池充电控制IC，可支持大电流快速充电 全球领先的半导体及解决方案提供商瑞萨电子株式会社（TSE：6723），今天宣布专为采用锂电池的移动设备而（如数码相机和智能手机等）开发的R2A20057BM锂电池充电控制器IC正式上市。作为业界封装尺寸最小的充电IC之一，R2A20057BM集成了降压型DC-DC转换器（BUCK convertor），支持2A大电流充电。 发表于：2013/1/11 ADIADP2384/ADP2386降压DC－DC控制器参考方案 ADI公司的ADP2384/ADP2386是两款4mm×4mmLFCSP封装的高效、同步降压DC/DC稳压器，内部集成一个44mΩ的高边检测功率MOSFET及一个11.6mΩ（ADP2384）、11mΩ(ADP2386)的同步整流MOSFET器件。为了实现杰出的稳定性和瞬态响应特性，该器件采用峰值电流模式，固定频率脉宽调制控制方案。 发表于：2013/1/11 Intersil推出新的支持单节锂池供电的升压转换器 全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司（纳斯达克全球交易代码：ISIL）今天宣布，推出具有卓越功率密度与效率的升压转换器产品系列--- ISL9113。这些新升压转换器产品非常适用于由单节锂离子电池供电并支持USB OTG功能的产品。 发表于：2013/1/10 MOS芯片的ESD保护电路设计 随着CMOS集成电路产业的高速发展，越来越多的CMOS芯片应用在各种电子产品中，但在电子产品系统的设计过程中，随着CMOS工艺尺寸越求越小，单位面积上集成的晶体管越来越多，极大地降低了芯片的成本，提高了芯片的运算速度。 发表于：2013/1/10 电感在隔离接地时候的应用注意事项!!! 电感在隔离接地时候的应用注意事项 发表于：2013/1/10 隔离驱动IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用，这不仅是因其所具有的高输出电流驱动能力，及开关速度快等长处之外，更重要的，它也具有保护功率器件的所需功能。 发表于：2013/1/10 全自动六轴玻璃打孔案例解析 本文详细地介绍了应用于太阳能光伏电池覆盖钢化玻璃板流水线上作业的打孔工艺，帮助用户实现高效、节能。 发表于：2013/1/10 Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封装的功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺寸、热增强型PowerPAK® SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK® SC-70 2mm x 2mm占位面积的100V N沟道器件，导通电阻分别小于200mΩ和100mΩ。 发表于：2013/1/9 <…939940941942943944945946947948…>
