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DRAM史上最大代际倒挂继续：DDR4现货平均价2.6倍于DDR5
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三星电子计划明年3月启动第十代4xx层V-NAND量产线建设
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三星电子加入SOCAMM内存模块战场
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HBM内存价格战风雨欲来
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三星电子1c nm DRAM内存工艺开发完成
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英伟达在SK海力士HBM内存销售额占比降至80%
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SK海力士暂缓1c DRAM内存量产设备采购
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美光宣布在美投资增至2000亿美元
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消息称三星电子在DRAM内存领域率先导入干式光刻胶技术
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美光宣布向多个关键客户出样HBM4 36GB 12Hi内存
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制造商将重心转向DDR5等新技术致DDR4内存价格反涨50%
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美光宣布全球首款1γ LPDDR5X内存正式送样
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美光率先推出第六代10nm级LPDDR5xDRAM内存
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Intel力拼2027年打造HBM内存替代方案
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三星被曝将首次外包芯片光掩模生产
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SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB产品客户验证
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消息称三星电子正推动DRAM制程升级
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消息称三星电子HBM4内存逻辑芯片进展较佳
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HBM4内存正式标准化 JEDEC发布JESD270-4规范
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消息称美光加速HBM内存TC键合设备采购
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HBM3E内存竞赛升温
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据称长鑫存储正考虑提高DDR4产品价格
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科美存储发布首款100%国产DDR5 RDIMM内存条
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SK海力士宣布全球率先向客户提供12层HBM4内存样品
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韩国半导体对华出口暴跌
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三星电子展望未来HBM内存
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美光宣布1γ DRAM内存开始出货
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