设计应用 利用特殊应用模拟开关改进便携式设计[模拟设计][其他] 随着市场对功能丰富的手机需求越来越强劲，具有特殊应用性能的模拟开关得到了最终设计的持续青睐。此举不仅能降低材料成本(BOM)，还有助于提升设计性能并满足对产品上市时间的要求。本文将通过若干实际用例指导系统设计人员如何降低冲击噪声(pop noise)、检测充电器及改进眼图张度。 发表于：2012/2/8 下午3:42:42 便携式产品中模拟开关的选择要点[模拟设计][其他] 在便携式产品设计中，一直以来，模拟开关主要作为音频信号切换器使用。后来，随着双卡双模手机的普及，模拟开关成了双卡切换必备的选择；最新的数字电视DVB、CMMB等在一定的条件下也需要使用模拟开关。 发表于：2012/2/8 下午3:42:17 基于nRF9E5和火线的单线制射频遥控开关设计[模拟设计][其他] 首先介绍51兼容的射频SoC(片上系统)nRF9E5模块和火线处理的独特电路；然后阐述该控制系统硬件和软件的设计方法，设计符合电工安全规范的单线制射频遥控开关；最后论述该方案在实际应用中的优势。 发表于：2012/2/8 下午3:41:30 一种高性能红外信号检测开关的设计与实现[模拟设计][其他] 这里设计的红外信号检测开关目的是实现当人体接近红外信号检测装置时，依据信号处理结果自动开启负载，如果人不离开且在活动，负载持续工作，直至人离开后延时并关闭负载。该设计采用四元热释电红外信号处理器实现，并给出其完整的硬件电路设计方案。最后利用仿真软件Matlab进行了仿真。 发表于：2012/2/8 下午3:39:23 基于Simulink技术的噪声调幅干扰仿真[模拟设计][其他] Simulink是一个用来对动态系统进行建模、仿真和分析的软件包。它支持连续、离散或两者混合的线性和非线性系统，也支持具有多种采样速率的多速率系统。另外，Simulink还提供一套图形动画的处理法，使用户可以方便地观察到仿真的整个过程。这些功能正是进行雷达干扰技术研究分析中亟待解决的问题，本文以雷达干扰技术中的噪声调幅干扰为例，说明Simulink技术在雷达干扰技术中的应用。 发表于：2012/2/8 下午3:37:39 低噪声前置放大器电路的设计方法[其他][其他] 前置放大器在音频系统中的作用至关重要。本文首先讲解了在为家庭音响系统或PDA设计前置放大器时，工程师应如何恰当选取元件。随后，详尽分析了噪声的来源，为设计低噪声前置放大器提供了指导方针。最后，以PDA麦克风的前置放大器为例，列举了设计步骤及相关注意事项。 发表于：2012/2/8 下午3:37:14 用ADS实现一个2.38GHz全集成化低噪声放大器设计[其他][其他] 目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多，在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大，功率损耗大等缺点，凭借其低廉的价格，CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内，逐渐取代GaAs MESFET LNAs。 发表于：2012/2/8 下午3:36:44 利用Cadence设计COMS低噪声放大器[其他][其他] 结合一个2．4 GHz CMOS低噪声放大器(LNA)电路，介绍如何利用Cadence软件系列中的IC 5．1．41完成CMOS低噪声放大器设计。首先给出CMOS低噪声放大器设计的电路参数计算方法，然后结合计算结果，利用Cadence软件进行电路的原理图仿真，并完成了电路版图设计以及后仿真。仿真结果表明，电路的输入／输出均得到较好的匹配。由于寄生参数，使得电路的噪声性能有约3 dB的降低。对利用Cadence软件完成CMOS射频集成电路设计，特别是低噪声放大器设计有较好的参考价值。 发表于：2012/2/8 下午3:36:25 CY7C68013与FPGA接口的Verilog HDL实现[可编程逻辑][其他] USB(通用串行总线)是英特尔、微软、IBM、康柏等公司1994年联合制定的一种通用串行总线规范，它解决了与网络通信问题，而且端口扩展性能好、容易使用。最新的USB2.0支持3种速率：低速1.5 Mbit/s，全速12 Mbit/s，高速480 Mbit/s。这3种速率可以满足目前大部分外设接口的需要。 发表于：2012/2/8 下午3:35:51 2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计[模拟设计][其他] 在红外通信的1 310～1 550 nm波段，高灵敏度探测材料主要有Ge—APD和InGaAs／InP APD，两者相比较，InGaAs／InP APD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪声。In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP能隙渐变层、InP电荷层与InP顶层的结构。 发表于：2012/2/8 下午3:35:45 <…1751175217531754175517561757175817591760…>
