高通第五代骁龙8将迎来双代工厂

此前有报道称，高通考虑未来骁龙8平台采用双代工厂策略，分别采用台积电（TSMC）和三星的3nm工艺。高通原打算在2024年的第四代骁龙8开始执行该计划，不过由于三星3nm产能扩张计划趋于保守，加上良品率并不稳定，最终让高通选择延后执行该计划。

发表于：2024/9/12 上午9:17:57

关键词：
高通
骁龙8
3nm
台积电
三星

PIXHELL声学攻击被曝利用LCD屏幕窃取数据

PIXHELL 声学攻击曝光：利用 LCD 屏幕窃取数据

发表于：2024/9/12 上午9:07:35

关键词：
PIXHELL
声学攻击
LCD屏幕
窃取数据

博世倍耐力研发世界首个基于集成传感器的轮胎系统

9 月 11 日消息，博世、倍耐力今天宣布签署联合开发协议，旨在通过集成在轮胎中的传感器（也称为胎内传感器），共同开发基于软件的全新解决方案和驾驶功能。

发表于：2024/9/12 上午8:59:17

关键词：
博世
倍耐力
胎内传感器
驾驶功能

两名前三星员工涉嫌泄露价值32亿美元商业机密被捕

9月11日消息，韩国首尔地方警察厅产业技术安全搜查队于10日以违反韩国《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》为由，逮捕了两名前三星高管，指控他们涉嫌向中国泄露价值 32 亿美元的三星公司机密。

发表于：2024/9/12 上午8:50:18

关键词：
三星
高真科技
DRAM

谷歌Tensor G6将采用台积电2nm制程代工

传谷歌Tensor G6将采用台积电2nm制程代工

发表于：2024/9/12 上午8:39:17

关键词：
谷歌
TensorG6
台积电
2nm

美国众议院投票通过了多项针对中国科技的法案

美国众议院通过多项法案：拟禁售大疆无人机，禁止采购6家中企电池 显然，中国厂商在电动汽车所需的动力电池领域目前依然是占据着绝对优势，这也引发了美国方面的焦虑不安。

发表于：2024/9/12 上午8:32:00

关键词：
大疆
禁售
电动汽车
动力电池

Imagination推出性能最高且具有高等级功能安全性的汽车GPU IP

Imagination推出性能最高且具有高等级功能安全性的汽车GPU IP

发表于：2024/9/12 上午8:26:00

关键词：
Imagination
汽车图形处理器
GPU

Pickering Interfaces 发布最新可编程电阻模块

PXI/PXIe 仿真模块提供多种电阻范围和分辨率，以满足大多数功能测试系统的需求

发表于：2024/9/11 上午11:46:43

关键词：
可编程电阻器
PXI
Pickering

核力创芯首批氢离子注入性能优化芯片产品交付

仅次于光刻、我国半导体制造核心技术突破，核力创芯首批氢离子注入性能优化芯片产品交付 国家电投表示，这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。

发表于：2024/9/11 上午11:30:00

关键词：
核力创芯
功率芯片质子辐照
功率半导体
氢离子注入性能优化芯片

世界先进携手汉磊开发8英寸碳化硅晶圆

世界先进斥资5.5亿元认购汉磊13%股权，携手开发8英寸碳化硅晶圆

发表于：2024/9/11 上午11:02:01

关键词：
世界先进
汉磊
碳化硅晶圆

新思科技发布全球领先的40G UCIe IP

新思科技发布全球领先的40G UCIe IP，助力多芯片系统设计全面提速

发表于：2024/9/11 上午10:51:00

关键词：
新思科技
40GUCIeIP
多芯片系统设计

微软联合Atom 开发全球最强量子计算机

微软联合Atom 开发全球最强量子计算机，物理量子比特数超1200个

发表于：2024/9/11 上午10:31:21

关键词：
微软
Atom
量子计算机
物理量子比特

高通与联发科下一代旗舰芯片决战全大核时代

移动芯片步入全大核时代，高通、联发科决战下一代旗舰芯

发表于：2024/9/11 上午10:22:00

关键词：
移动芯片
高通
联发科

SK海力士面向数据中心发布PEB110 SSD

9 月 11 日消息，SK 海力士（SK hynix）昨日（9 月 10 日）宣布成功开发适用于数据中心的高性能固态硬盘 PEB110 E1.S（以下简称 PEB110）。 PEB110 简介 PEB110 采用第五代 PCIe，带宽比现有第四代 (Gen4) 高一倍，数据传输速度达到了 32 GT/s（千兆传输 / 秒），由此性能较上一代产品提高 1 倍，能效提升 30% 以上。

发表于：2024/9/11 上午9:59:39

关键词：
SK海力士
PEB110
高性能固态硬盘

美光宣布单颗36GB HBM3E内存

9月10日消息，美光官方宣布，已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存，单颗容量达36GB，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。 它将用于顶尖的AI、HPC计算产品，比如NVIDIA H200、B200等加速卡，单卡就能轻松运行700亿参数的Llama2等大模型，不再需要频繁调用CPU，从而减少延迟、提高数据处理效率。 美光12-Hi 36GB HBM3E内存还有着9.2Gbps的超高速率，单颗就能提供超过1.2TB/s的惊人带宽，而且功耗比8-Hi版本更低。 台积电CoWoS封装技术制造，也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技术，彼此可以轻松搭配。 支持完全可编程的MBIST(内存内置自测试)，可以模拟全速下的系统负载，方便快速完成测试验证，加快上市。 美光表示，12-Hi HBM3E已经提供给关键伙伴进行验证。

发表于：2024/9/11 上午9:50:35

关键词：
美光
HBM3E
12-Hi堆栈