头条 “网络安全”再次成为众多两会代表提案的关键词 今年的两会已落下帷幕，“没有网络安全就没有国家安全”，“网络安全”再次成为众多代表委员提案和议案中的关键词。随着网络的飞速发展，网络信息安全问题已对国家、社会及个人造成巨大威胁。 下面就一起看看对于解决所面临的网络安全问题，代表委员们都有哪些好的建议。 最新资讯 华为将打造星地融合永不失联的通信网络 提前落地6G功能！余承东：华为将打造星地融合、永不失联的通信网络 发表于：2024/9/4 意法半导体正式宣布入股RISC-V公司Quintauris GmbH 意法半导体加入高通/恩智浦/博世/英飞凌/Nordic的RISC-V合资公司 发表于：2024/9/4 爱立信携手Telstra率先全球部署新一代RAN计算平台 爱立信携手Telstra，率先全球部署新一代RAN计算平台，共推移动连接技术发展 发表于：2024/9/4 中国移动创新提出5G-A无线融合新架构 5G-A技术发展迈上新台阶：中国移动创新提出5G-A无线融合新架构 发表于：2024/9/4 消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺 消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺 发表于：2024/9/4 剧透！一图速览今年宁波智博会的精彩看点 2024年9月6日至8日，第十四届智慧城市与智能经济博览会将在宁波市举办。本届活动由宁波市人民政府和浙江省经信厅，联合中国信息通信研究院、中国电子信息行业联合会、中国电信、中国移动、中国联通等单位共同主办。 发表于：2024/9/3 Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT 奈梅亨，2024年 9月2日：Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管（BJT）产品组合再次扩展，推出采用DFN2020D-3封装的十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50 V和80 V，支持NPN和PNP极性的1 A至3 A电流范围，进一步巩固了Nexperia作为市场领先供应商的地位。通过此次发布，Nexperia通过DFN封装提供了其大部分的功率BJT，可满足设计人员对节省空间和能源的封装的需求，以此取代旧的SOT223和SOT89封装。 发表于：2024/9/3 e络盟发售功能强大的入门级 Raspberry Pi 5 2GB 中国上海，2024年9月2日——安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟日前开售极具性价比的全新 Raspberry Pi 5 2GB。 发表于：2024/9/3 消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化 消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化 9 月 3 日消息，韩媒 etnews 当地时间昨日报道称，三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。 消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类 HBM 内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧 AI 提供动力。 综合IT之家此前报道，三星电子的此类产品叫做 LP Wide I/O 内存，SK 海力士则将这方面技术称为 VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即将扇出封装和垂直通道结合在一起。 三星电子的 LP Wide I/O 内存位宽达 512bit，是现有 LPDDR 内存的 8 倍，较传统引线键合拥有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 带宽。该内存将于 2025 年一季度技术就绪，2025 下半年至 2026 年中量产就绪。 发表于：2024/9/3 我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。 项目背景 碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。 碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。 发表于：2024/9/3 <…903904905906907908909910911912…>
