头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 聚焦人工智能和5G 英特尔构建智能互联未来 从虚拟现实、人工智能到5G，本周举行的英特尔信息技术峰会（IDF）展示了技术创新的力量对人类生活带来的前所未有的改变。英特尔发现，开发者通过参与全新级别的跨产业协作，正在创造并获取更多的机遇。 发表于：2016/8/19 抢占物联网和机器人风口 英特尔发布两组开发模块 英特尔CEO科再奇(Brian Krzanich)在英特尔开发者论坛的主题演讲中发布了最新的Joule一体化芯片模块，这也是2014年推出的物联网模块Edison的后续产品。 发表于：2016/8/19 MOS晶体管 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC 发表于：2016/8/18 增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 发表于：2016/8/18 什么是耗尽型MOS晶体管 据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 耗尽型MOS场效应管，是在制造过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在UGS=0时，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子，形成N型导电沟道。 发表于：2016/8/18 最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比（VSWR）的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗？这种耐用性适用于哪些类型的应用？本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。 发表于：2016/8/18 新型高耐压功率场效应晶体管 摘要：分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾，介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构，分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理，介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。 发表于：2016/8/18 场效应晶体管放大器 场效应晶体管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型--结型场效应管和绝缘栅场效应管可构成相应的场效应管放大器。以下以结型管为例给出三种基本组态放大器的等效电路和性能指标计算表达式，见表5.2-7。图为场效应管具有与晶体管类似的正向受控作用，它也可构成共源极、共漏极、共栅极三种基本放大器。 发表于：2016/8/18 解读电动汽车锂离子电池六大指标 2016年上半年整个电动汽车产业链都得到了突飞猛进的增长，而作为其核心命脉的锂离子电池更是备受关注。如何为电动汽车选择正确的锂离子电池？如何评价电动汽车动力电池的性能好坏？锂离子电池的指标参数有哪些？让我们一一解读。 发表于：2016/8/18 手机芯片行业迎来寡头竞争时代 10nm成“芯”焦点 近日，高通公司继旗舰产品骁龙820取得成功之后，有关下一代骁龙830的消息又开始浮出水面;联发科则籍由Helio系列产品积极抢攻高通占优的4G市场;展讯通信则喊出了2016年出货量6亿套片，其中LTE芯片1亿套片的目标。此外，龙头大厂间的市场竞争焦点也从以往的“低端抢市”转向“中高端争夺”，产品之争则从“(内)核战”转向对“先进工艺”等的争夺。 发表于：2016/8/18 <…4250425142524253425442554256425742584259…>
