新闪存标准ONFI3.0出炉 访问速度提升一倍
2011-03-18
来源：刘凯 译 存储在线
全新的闪存接口标准现已公布，新的标准访问吞吐达到400MB/s，比现有NAND的速度提升了一倍。这样可使闪存对消费级电子设备及商业计算更具有吸引力。
Open NAND Flash Interface（ONFI）工作组已经公布了其ONFI 3.0标准。该公司成立于2006年5月，拥有100多个涉及制造、设计以及使用闪存产品的成员，包括海力士、英特尔、镁光、SanDisk以及索尼。
3.0标准采用的是非易失性的DDR2（NV-DDR2）接口，其可以使接口速度从ONFI 2.1的200MB/s提升到400MB/s。全新的标准兼容以前的ONFI标准。
ONFI表示："ONFI3.0整合了一个紧密片基选择功能，其可以简化芯片启动（CE）针脚数，从而降低控制器引脚数使PCB走线更加有效率。减少芯片针脚数对于SSD特别重要，这样可以降低成本且允许将额外的针脚分配到系统内的其他应用程序上。"
预计ONFI未来发行的版本将支持ECC Zero（EZ-NAND接口），并且无需NAND纠错及校验（ECC）操作，从而简化了设计过程。ONFI 3.0将被广泛应用。
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