IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合
2011-06-15
作者：IR
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的选择，并带有标准或逻辑水平栅极驱动器。这些器件只需要4mm2的占位空间，采用IR最新的低电压 N-通道和P-通道硅技术，从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封装的高功率密度。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR的新型PQFN2x2器件进一步扩展IR广阔的功率 MOSFET系列，也可以满足我们客户的需求，进一步缩小封装尺寸，并结合基准硅技术。这些新器件拥有超小尺寸和高密度，非常适合于高度数字化内容相关的应用。”
这个PQFN2x2系列包括为负载开关的高侧而优化的P-通道器件，带来一个更简单的驱动解决方案。同时，新器件的厚度少于1 mm，使它们与现有的表面贴装技术兼容，并且拥有行业标准的占位空间，还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。
产品规格
|
组件编号 |
配置 |
BV (V) |
最大Vgs (V) |
在10V下 典型/最大RDS(on) (mΩ) |
在4.5V下 典型/最大RDS(on) (mΩ) |
在2.5V下 典型/最大RDS(on) (mΩ) |
|
IRFHS9301 |
单一 |
-30 |
-20 |
30/37 |
48/60 |
- |
|
IRLHS2242 |
单一 |
-20 |
-12 |
- |
25 / 31 |
43 / 53 |
|
IRLHS6242 |
单一 |
+20 |
+12 |
- |
9.4 / 11.7 |
12.4 / 15.5 |
|
IRLHS6342 |
单一 |
+30 |
+12 |
- |
12 / 16 |
15 / 20 |
|
IRFHS8242 |
单一 |
+25 |
+20 |
10/13 |
17 / 21 |
- |
|
IRFHS8342 |
单一 |
+30 |
+20 |
13/16 |
20 / 25 |
- |
产品现正接受批量订单。数据及MOSFET产品选项工具已刊登于 IR 的网站 www.irf.com。
专利和商标
IR® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。