成立于1985年的ANADIGICS公司在高性能射频集成电路（RFIC）设计领域拥有自己的“独门绝技”，这就是可提供基于砷化镓（GaAs）工艺技术的高线性高效率射频放大器。日前，该公司又推出采用其第三代低功耗高效率 (HELP) 技术的全新功率放大器 (PA) 系列产品。新的HELP3DC  AWT663x系列功率放大器是专门针对CDMA、WCDMA/HSPA和LTE设备中包含开关模式电源 (SMPS) 、DC/DC转换器或包络跟踪IC进行优化，以便对功率放大器的工作电压进行控制。

　　ANADIGICS无线射频产品事业部及营销总监Mahendra Singh告诉本刊记者，随着我们推出针对无线设备中包括DC/DC转换器在内的射频功率管理设备而进行优化的全新HELP3DC系列，ANADIGICS正在不断提高无线功率放大器的性能水平。该系列是业内领先且广受好评的HELP产品家族的新成员，其为射频设计者延长电池使用时间提供了更多选择，可使移动设备用户体验到移动宽带3G和4G服务的所有潜在功能。

　　Mahendra Singh介绍说，SMPS和DC/DC转换器可使手机设计者降低功率放大器的工作电压，从而在所选条件下降低平均电流消耗。ANADIGICS的HELP3DC功率放大器针对固定电源高低射频功率级别设置了两种功率模式，以实现更高效率。这些功率放大器还可提供超低静态电流。HELP3DC系列功率放大器与外置DC/DC转换器的结合使用为设计者带来更多选择，即在高低功率模式下均可降低电池电流消耗。包络跟踪设计可对功率放大器工作电压进行调节，使其满足输入射频信号的要求。在包络跟踪设计中，HELP3DC功率放大器可实现业界一流的性能和效率。

　　Mahendra Singh说，ANADIGICS HELP3DC的主要优势还体现在，两种工作模式就可支持全功率射频高效率输出，单一控制信号。针对改变功率放大器工作电压的射频设计进行优化，从而降低电流消耗。它的低静态电流在3.4 V下低于8 mA，并且在3.4 V下具有同类最佳线性度 (ACLR1) 。与LTE兼容、与WCDMA、HSPA及HSPA+和CDMA/EVDO兼容，控制逻辑为1.8 V。ANADIGICS HELP3DC还集成了射频耦合器、电压调节和射频端口上的集成隔直电容，封装尺寸为3 mm × 3 mm × 1 mm 。

　　Mahendra Singh表示，ANADIGICS目前重点在做与MMMB（多模多频）相关的产品开发，这也是未来高功率放大器发展的趋势。同时保持与高通公司更加紧密的合作，开发一些适合于高通参考设计方面的产品。ANADIGICS管理层希望该公司能成为市场的领导者，提到WCDMA、3G时，大家马上就能想到ANADIGICS产品是做的最好的。

　　Mahendra Singh认为，现在很多公司都在做CMOS PA，有些也比较成功。但是跟砷化镓来比，性能上还是不如砷化镓，比如说效率还是没有砷化镓高。另外，CMOS目前来看也没有砷化镓稳定性高，主要体现在生产的良率不够高。当然CMOS也有它的优势，比如成本比较低、体积小。另外产量相比砷化镓更大。对ANADIGICS来说，也有CMOS的产品，例如，PA里面有多级放大，前级、中级、后级。我们打算前级（推动级）上用CMOS来做，后级还是用砷化镓，这样可以保证低成本的优势，同时后级还可以提高输出效率、稳定性等指标。所以，未来CMOS和砷化镓会共存，一些低端的应用，对成本要求比较高的可能会采用CMOS来做。对一些高端应用，对性能要求比较高，还是会使用砷化镓工艺技术。（丛秋波）