《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 嵌入式技术 > 业界动态 > 意法半导体(ST)推出全新30V功率晶体管,采用第六代STripFET制造工艺,功率密度达到业内最高水平

意法半导体(ST)推出全新30V功率晶体管,采用第六代STripFET制造工艺,功率密度达到业内最高水平

STripFET VI DeepGATE产品系列首批产品,提升功率转换器的能效,采用PowerFLAT 5x6封装,典型导通电阻
2009-04-08
作者:意法半导体
 

功率半导体业全球领先厂商意法半导体(纽约证券交易所: STM)推出全新系列的30V表面贴装功率晶体管导通电阻仅为2毫欧(最大值),新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。 

 

采用意法半导体最新的 STripFET VI DeepGATE制造工艺单元密度提高,以有效芯片尺寸对比,新产品实现业内最佳的导通电阻RDS(ON),比上一代产品改进大约20个百分点,开关稳压器和直流--直流转换器内因此可以使用小尺寸的贴装功率封装。这项技术还得益于本身既有的低栅电荷量特性,这项优点让设计人员可以使用高开关频率,在产品设计中选用尺寸更小的无源器件,如电感和电容。 

 

意法半导体新30V表面贴装功率晶体管产品提供各种工业标准封装包括SO-8DPAK5x6mm PowerFLAT3.3 x 3.3mm PowerFLATPolarPAK、通孔IPAKSOT23-6L兼容现有的焊盘/引脚布局同时还能提高能效和功率密度。这一特性使意法半导体的STripFET VI DeepGATE产品系列可以创造出最大的市场机遇。 

 

首批采用新工艺的产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款产品。STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装单位面积导通电阻 RDS(ON)* 达到市场最低水平;STD150N3LLH6采用DPAK封装导通电阻 RDS(ON)2.4毫欧。 

 

两款产品的样片都已上市,计划2009年6月开始量产。 

 

详情登录意法半导体公司网站www.stmicroelectronics.com.cn/pmos. 

 

关于意法半导体(ST) 

意法半导体是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合,雄厚的制造实力,广泛的知识产权组合(IP),以及强大的战略合作伙伴关系,使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中,意法半导体的产品扮演重要的角色。2008年,公司净收入98.4亿美元,公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。详情请访问意法半导体公司网站 www.st.com 意法半导体中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn 

 

PolarPAK VISHAY/SILICONIX公司的注册商标。 

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。