RFMD面向3G多模手机市场推出RF MEMS器件
2007-11-30
作者：RF Micro Devices
日前，设计与制造高性能" title="高性能">高性能射频系统" title="射频系统">射频系统与解决方案提供者RF Micro Devices(RFMD)在其分析日宣布推出专有微机电系统(MEMS)——面向RF及其他应用的技术。RFMD期望其MEMS技术将在RF及其他应用中实现性能和功能的整合。RFMD推出的第一批RF MEMS器件将是面向3G多模手机的RF MEMS发送/接收开关及RF MEMS模式开关。通过减小产品占位面积并提高效率，从而延长手机通话时间，RFMD的MEMS开关技术将有助于加速3G部署。当与面向前端解决方案(GaAs、SOI及硅)的RFMD的工艺技术相结合时，RFMD的RF MEMS开关技术将树立低成本、小尺寸及高性能前端的新标准。
RFMD的MEMS开关还将在功率放大器(PA)的输出电路中使用，以创建可调谐的PA，公司预计这将实现真正自适应的收发器解决方案。RFMD研发副总裁Victor Steel指出：“RFMD专有MEMS技术的商业化以及我们200mm MEMS研发制造厂的建设强调了RFMD不断致力于通过实现创新产品" title="创新产品">创新产品。随着我们MEMS功能的商业化，我们将能够进一步提供可预计并超出我们客户日益增长的RF需求的高整合度" title="高整合度">高整合度RF解决方案。”
加州大学圣地亚哥分校教授Gabriel M. Rebeiz强调：“现有RF MEMS开关技术基于小制造批次及晶圆" title="晶圆">晶圆到晶圆封装技术，这最终会增加器件成本。RFMD方法及其硅片上的高整合度针锋相对地解决了这一问题，并最终将提高产量及性能以及极大降低成本。”
RFMD的RF MEMS开关为高功率欧姆接触式MEMS开关，它们是RF CMOS SOI晶圆上后处理的IC，密封在晶圆级封装(WLP)电介质圆顶中。使RF MEMS开关运行所需的所有必要电路均被集成到了基本CMOS中，包括可靠接通功率MEMS开关所需的大电压及控制信号的产生。RF MEMS开关完全支持RFMD苛刻的蜂窝RF功率模块要求，包括低插损及高隔离(典型0.2dB/35dB @ 1.9GHz)以及高谐波抑制(典型>90dBc)，同时还符合严格的可靠性及设计与生产成本要求。
除RF MEMS开关外，RFMD还正在积极推动其他MEMS器件的商业化，例如RF MEMS滤波器、RF MEMS共鸣器(晶体替代器件)及MEMS传感器。公司期望其MEMS技术连同其在高性能射频系统中的现有核心能力将最终实现能够适应任何无线协议——蜂窝或非蜂窝——的单片前端及软件定义无线电。
RFMD将构建200mm研发晶圆制造厂以支持其不断的MEMS开发。该MEMS研发制造厂将与RFMD GaN研发机构共同位于北卡罗莱纳Mooresville的新工厂中。