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IR推出新系列 40V 至 200V 车用 MOSFET,提供基准导通电阻性能

2011-09-14
作者:IR

  全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列,可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ,包括电动助力转向系统  (EPS) 、集成式起动发电机  (ISA)  泵和电机控制,以及内燃机  (ICE)  和混合动力汽车平台上的其它重载应用。
  
  全新沟道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面贴装器件 (SMD) 封装,电压范围从 40V 至 200V。标准和逻辑电平栅级驱动 MOSFET 都为 IR 车用塑料封装 MOSFET 产品系列设定了导通电阻性能新标准。基准导通电阻在 40V 下最大为 1.25 毫欧,60V 下最大为2.1 毫欧,75V 下为 2.6 毫欧,100V 下为 4.0 毫欧。在 D2Pak-7P 封装中许多器件的最大额定电流达 240A。
  
  IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR 全新车用沟道 MOSFET 系列可在下一代汽车应用,包括集成式起动发电机和电动助力转向系统应用中实现基准性能。”
  
  所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过1, 000 次温度循环测试后,导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而,经过延长测试后,IR 的新款 AU 物料单在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化不到 10%,体现了该物料单的高强度和耐用性。
  
  新器件符合 AEC-Q101 标准,所采用的材料环保,不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
  
产品规格

 

器件编号

封装

V(BR)DSS (V)

10VGS时的最大

导通电阻()

TC 25°C时的ID最大值(A)

10VGS 时的

QG 典型值(nC)

AUIRFS3004-7P

D2PAK-7P

40

1.25

400

160

AUIRFS3004

D2PAK

40

1.75

340

160

AUIRFS3006-7P

D2PAK-7P

60

2.1

293

200

AUIRFS3006

D2PAK

60

2.5

270

200

AUIRFS3206

D2PAK

60

3.0

200

120

AUIRFS3306

D2PAK

60

4.2

160

85

AUIRF1018ES

D2PAK

60

8.4

79

46

AUIRFS3806

D2PAK

60

15.8

43

22

AUIRFS3107-7P

D2PAK-7P

75

2.6

260

160

AUIRFS3107

D2PAK

75

3.0

230

160

AUIRFS3207Z

D2PAK

75

4.1

170

120

AUIRFS3307Z

D2PAK

75

5.8

120

79

AUIRFS3607

D2PAK

75

9.0

80

56

AUIRFS4010-7P

D2PAK-7P

100

4.0

190

150

AUIRFS4010

D2PAK

100

4.7

180

143

AUIRFS4310Z

D2PAK

100

6.0

127

120

AUIRFS4410Z

D2PAK

100

9.0

97

83

AUIRFR4615

DPAK

150

42.0

33

26

AUIRFR4620

DPAK

200

 78.0

24

25


逻辑电平栅级驱动

 

器件编号

封装

V(BR)DSS (V)

4.5VGS时的最大

导通电阻()

TC 25°C时的ID最大值(A)

4.5VGS 时的

QG 典型值(nC)

AUIRLS3034-7P

D2PAK-7P

40

1.7

380

120

AUIRLS3034

D2PAK

40

2.0

343

108

AUIRLS3036-7P

D2PAK-7P

60

2.2

300

110

AUIRLS3036

D2PAK

60

2.8

270

91

AUIRLS4030-7P

D2PAK-7P

100

4.1

190

93

AUIRLS4030

D2PAK

100

4.5

180

87


  有关产品现正接受批量订单。相关数据和认证标准请浏览IR 的网站 www.irf.com。IR还提供Spice模型供索取。
  
专利和商标
  IR®  和 HEXFET® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。
 

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