世界领先的半导体制造商意法半导体（纽约证券交易所代码：ST" title="ST">STM)日前公布了该公司的45nm" title="45nm">45nm (0.045微米) CMOS设计平台" title="设计平台">设计平台，在这个平台上，客户可以为低功耗" title="低功耗">低功耗的无线和便携通信应用设备开发下一代系统芯片(SoC" title="SoC">SoC)产品。  

与采用65nm技术的设计相比，ST的低功耗创新工艺结合多个阈值晶体管，将芯片面积缩减一半。同时，新工艺将处理速度提高了20%，在正常工作模式下，泄漏电流降低二分之一，在保持模式下，泄漏电流降低到几分之一。后一项将给便携产品的设计人员带来巨大的好处，因为电池电量的使用时间是便携产品设计需要考虑的一个重要的因素。 

ST在完成一个高集成度的45nm SoC 演示芯片的设计或流片时使用了这个最先进的45nm低功耗CMOS平台。这个芯片设计包含一个先进的双核CPU系统和相关的存储器分层结构，采用了在45nm工艺节点上将高性能和低功耗合二为一所需的复杂的低功耗方法。    

新的低功耗设计平台充分利用了45nm工艺技术的多功能和模块化特点，该平台是在法国格勒诺布尔近郊Crolles的ST研发中心开出来发的，并在Crolles2联盟的300mm晶圆制造厂接受了产品验证。 

“提前使用低功耗的45nm CMOS技术对于市场领先的制造厂商开发新的无线和便携消费电子产品特别是下一代的3G和4G手持多媒体终端至关重要，” 意法半导体制造和技术研发执行副总裁Laurent Bosson表示，“在ST的低功耗45nm CMOS平台上开发的芯片能够让应用设计具有极高的性能同时还有很低的功耗。” 

与其它的准备部署的45nm设计平台一样，ST的低功耗45nm工艺含有进行高密度和高性能设计所需的全部先进模块。这些重要模块包括：蚀刻最重要图形层的193nm浸没式光刻技术、潜沟道隔离及晶体管应力技术、先进的采用毫秒退火方法的结工程、超低K的内部铜层电介材料、准许降低互连线电容的技术。此外，还有两个单元库：一个是为高性能优化的，另一个是为低功耗优化的。总之，该平台为设计人员提供了丰富的设计选择。  

通过与Cadence、Mentor Graphics、Synopsys和Magma等主要EDA厂商的研发部门合作，ST的45nm设计平台受到业内主要的CAD工具的全面支持，由于开发环境是技术人员熟悉的工业标准工具，ST的客户可以立即着手设计先进的系统芯片解决方案。 

关于意法半导体（ST）公司

意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合(IP)，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2006年，公司净收入98.5亿美元，净收益7.82亿美元，详情请访问ST网站   www.st.com 或 ST中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn

45nm制造工艺的全部单元库和设计平台的技术细节：

?   在设计阶段可以选择多个单元，并将其用于同一个设计模块，这种方法为平台用户优化性能和功耗提供了更高的灵活性。这个功能有助于加快高性能和功耗敏感应用芯片的开发速度。 

?   每平方毫米逻辑电路密度可达1600K门，支持1.1V内核电压，金属节距0.14微米，6-7层金属布线。 

?   省电方法包括自适应vdd、低vdd工作、关闭电源、在保持模式下的低待机电流、反馈偏压等。 

?   全部1.8V I/O单元。 

?   高密度嵌入式存储器：单端口存储器，采用6晶体管SRAM单元，芯片面积缩减到0.25平方微米。 

?   目前正在开发一个与现有版本完全兼容的低成本的衍生工艺，采用新工艺的DRAM的存储密度是SRAM的三倍。 

?   目前正在开发一个种类齐全的模拟和射频IP（知识产权）模块组合，以满足市场对大规模集成单片系统的需求，同时还将提供复杂的数字IP模块，例如：微处理器和数字信号处理器。 

此外，这个制造工艺已取得了优异的测试结果，包括高良率的几兆位的SRAM测试电路，以及电源电压1.1V最低0.9V的全功能SRAM测试电路。