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恩智浦硅锗碳BiCMOS QUBIC4技术促进射频创新

2009-06-17
作者:恩智浦半导体

    恩智浦半导体(NXP Semiconductors),近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术,实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时,为客户带来成本优势。恩智浦承诺将进一步加大对QUBIC4 BiCMOS技术的投入,使未来的射频(RF)产品,如手机和通信基础设施设备所用的低噪声放大器、中功率放大器和LO发生器等,能够具有更强的性能特性。

    恩智浦创新的硅锗碳工艺,可使客户在器件中集成更多功能,同时进一步降低成本,减小占用空间。出类拔萃的QUBIC4技术具有最出色的低噪声性能和大量可用IP,从而加快硅器件对砷化镓器件的替换,在所有双向数据传输系统中提供更大的带宽,提高语音、图像和数据信号的清晰度,使客户满意;特别是在GPS、无线基站、电子计量等领域,恩智浦的QUBIC4技术有助于加快GPS系统的卫星跟踪和定位,改善基站性能,实现电子计量产品的普及,同时推动WLAN、卫星和微波无线电应用。


    恩智浦同时也可提供QUBIC4的ASIC服务。结合我们丰富的射频和微波设计经验、大量的IP、先进的低成本射频封装技术,以及自有的晶元工厂,我们能为客户提供质量可靠的批量生产能力。


    恩智浦硅锗碳 BiCMOS QUBiC4技术在发展过程中产生了三种版本:


·QUBiC4+:以硅技术为基础,非常适合5 GHz及以下频率的应用,以及中功率放大。

·QUBiC4X:第一代硅锗碳技术,非常适合频率在30 GHz及以下的应用,以及GPS等超低噪声应用。

·QUBiC4Xi:最新的硅锗碳技术,改善了Ft (> 200 GHz),噪声系数更低,非常适合VSAT和雷达等频率在30 GHz以上的应用。


 

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