世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性铁电 RAM (F-RAM)存储器的预认证样片，新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次 (1e12)的读/写循环、低功耗和无延迟(NoDelay™ )写入特性。
　　
　　FM25040C、FM25C160C和FM25640C分别是 4、16和 64Kb F-RAM存储器，能够以高达20MHz的总线速度进行写操作，具有行业标准串行外设接口(SPI)。F-RAM存储器阵列在接收到数据后，立即将数据写入存储器，不同于需要数据轮询的EEPROM和其它非易失性存储器，F-RAM存储器可以立即开始下一个总线周期，这些特性使得Ramtron最新的串口F-RAM存储器非常适合需要频繁和快速写入的非易失性存储器应用，包括工业控制和高速数据采集等应用。
　　
关于FM25xxxC系列
　　
　　Ramtron公司FM25xxxC系列器件具有一个串行SPI接口，工作电压为5V，在-40°C 至 +85°C的全工业温度范围内。此外，FM25xxxC系列产品还具有低功耗特性，当时钟频率为1MHz时,工作电流约为250uA。以及复杂的写入保护机制，可以防止无意的存储器数据写入。全系列器件均采用工业标准8脚“绿色”RoHS兼容SOIC封装。除FM25xxxC系列之外，Ramtron还提供I2C接口的FM24xxxC系列串口存储器样片，包括4Kb、16Kb和64Kb容量。
　　
关于Ramtron公司和F-RAM技术
　　
　　Ramtron International Corporation (简称Ramtron)公司总部设在美国科罗拉多州科罗拉多斯普林斯，是一家无晶圆厂半导体公司，设计、开发和销售用于世界范围之广泛产品应用及市场的专业半导体存储器和集成半导体解决方案。
　　
　　Ramtron是在半导体产品中采用铁电材料的先驱企业，开发了新类型非易失性存储器，称作铁电随机存取存储器即F-RAM。Ramtron的铁电存储器结合了动态随机存取存储器 (DRAM) 的高速度和非易失性数据储存特性，即无电存储数据的能力。自从这项技术商业化以来，Ramtron已经在严苛的应用领域销售了数亿个F-RAM器件，包括汽车安全和娱乐系统、便携式医疗设备、工业过程控制系统、智能电表和消费打印机墨盒。F-RAM技术是市场上功效最高的非易失性存储器技术，有望为超高效电池供电产品和能量收集应用的开发铺平道路。要了解更多的信息，请访问公司网站www.ramtron.com。
　　
安全规避声明
　　以下为依照美国私人证券法1995年修订案规定而发出的“安全规避”声明：本文中所有还不是历史事实的声明均为“前瞻性声明”，这些“前瞻性声明”可能涉及风险、不确定性和假设，而实际的结果或成果也可能与这些前瞻性声明的预计结果出现重大的差异。如要探讨这些风险，请参考Ramtron提交给美国证券交易委员会(SEC)的文件。本新闻稿中的前瞻性声明是在新闻稿的日期所做出的，Ramtron明确表示没有任何更新或修改此处前瞻性声明的义务或职责。