</a>28nm" title="28nm">28nm" title="28nm">28nm最小线宽修改，并使其电路除错能力更深入至IC最底层(Metal1)。
　　
　　看好28nm制程可带来更高效能、低功耗以及尺寸更轻薄短小的IC产品，业界大厂业界大厂纷纷导入。台积电在2011底率先量产28奈米制程产品，并预估今年28nm制程产品将达到整体营收的10%。联电近期也传出接获数间大厂的28nm订单，进入试产阶段。紧追在后的三星电子及格罗方德(Globalfoundries)，也各自有其在先进制程上的布局。
　　
　　不过，28nm制程亦有技术上的挑战。宜特科技可靠度与FIB工程处副总经理崔革文表示，28nm在设计与布局上的复杂度大幅升高，并且很难有一套通用的可制造性设计(DFM)模型来确保设计与布局的正确性，将导致IC设计业者须进行更为频繁的光罩改版，增加时间成本与金钱成本的负担，一套28nm光罩要价近2亿台币，是40nm的好几倍，往来重新下光罩亦需一个多月。因此，许多业者采FIB(Focusedionbeam，聚焦离子束)线路修改技术，藉此省去光罩改版的时间与金钱成本。
　　
　　宜特科技从2010年起展开28奈米IC线路修改的研究与布局，针对最底层(Metal1)的极小线路作修改测试，并从极小间距中，研究如何设定正确参数将讯号引出，还可利用独有的低阻值连线技术(宜特已有中华民国专利)，克服过大阻值易造成高频讯号的延迟与失真，目前在各个环节上均已完成验证，技术能量已可满足目前所有先进制程产品的除错与验证需求。
　　
　　除了拥有技术外，宜特也在这两年建造完成国内唯一同时拥有可胜任40nm与28nm线路修改的实验室，除了一般的Front-sideFIB技术外，亦可支援Back-sideFIB线路修改技术。
　　
　　Back-sideFIB是从IC晶片的背面(即矽基材端)来进行线路修改，该相关技术近年来受到高度瞩目，其需求亦日益趋多。特别在连线密度与I/O数都特别高的28nm制程上，由于需要更多层的金属连线与更高比例的覆晶封装(FlipChip)形式，宜特预期使用Back-sideFIB线路修改将成为未来主流。