摩尔定律(Moore"sLaw)极限浮现与18吋晶圆世代来临，将是半导体产业两项大革命，全球半导体厂都在思索未来趋势，台积电技术长孙元成20日指出，摩尔定律未必走不下去，只要与3DIC技术相辅相成，朝省电、体积小等特性钻研，将会柳暗花明又一村，未来10年内持续微缩至7奈米、甚至是5nm都不成问题。

晶圆尺寸持续从4吋、5吋、6吋、8吋一直扩展至12吋晶圆世代，原本2011年开始准备迎接18吋晶圆世代来临，但直至现在18吋晶圆技术和机台设备仍在研发阶段。孙元成表示，2009年全球金融海啸来袭，导致全球转进18吋晶圆世代时间点又晚2年，然除晶圆尺寸外，外界认为摩尔定律已达极限说法，其实未必适用。

孙元成表示，只要加入一些创新元素，如3DIC技术配合，摩尔定律可一直走下去，在未来10年内半导体技术持续微缩至7nm、5nm都是可行的，因为摩尔定律理念或3DIC技术有互补功效，都是把系统产品作小、成本作低，且降低耗电量，非常符合现在整个半导体硅晶圆产业聚焦行动通讯应用趋势。

台积电已与英特尔(Intel)、三星电子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries等半导体大厂共同成立Global450Consortium计划!，在美国纽约州Albany研发18吋晶圆技术。半导体业者认为，若摩尔定律在10奈米制程以下浮现无法克服的极限，对于半导体大厂将非常不利，等于技术走到瓶颈，等着所有后进者蜂拥而至追赶，因此，这些大厂一定要转进18吋晶圆，用技术和资金筑起厚实的竞争围墙。

不过，台积电指出，现在来讲摩尔定律是否到极限其实还太早，因为可加入许多创新技术，来辅助摩尔定律持续走下去。比利时微电子(IMEC)营运长LucVanDenHove亦指出，半导体技术在90~65nm制程是采用StrainedSi技术，在45~28奈米阶段是用High-K金属闸极技术(HKMG)，而22nm以下一直到14nm制程，则会转至3D晶片FinFET技术。

至于在10nm制程以下技术，台积电则表示，现在来看是要采用极紫外光微影制程(EUV)，或是多电子光束无光罩微影技术。