南韩为稳固全球记忆体龙头地位，在产业通商资源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主导下，不仅采取以三星电子(Samsung Electronics)等大企业为投资要角的产官学新合作研发模式，亦将次世代非挥发性记忆体与新兴材料、技术列为研发重点。

　　2013~2017年南韩将引进由政府与企业共同提供资金给学术机构研发的新合作模式，研发成果的智财权将由学术机构拥有，此将有利提高往后提供南韩中小型企业运用的可能性。

　　观察2013~2017年南韩列为研发重点的5项记忆体相关技术，包括相变化记忆体(Phase-change Random Access Memory;PRAM)等新兴非挥发性记忆体，及有助提升记忆体运算效能的铜/石墨烯积层构造技术、三五族通道材料、穿隧式场效电晶体(Tunnel Field Effect Transistor;TFET)、光学内部连结等技术。

　　透过研发新兴记忆体相关材料与技术，南韩计划开发高附加价值型记忆体核心技术，除朝穿戴式装置扩大应用范围外，更将提升容量与增添功能，并降低功耗以符合行动应用低功耗需求。

　　为平衡三星与南韩封测、IC设计公司等中小型企业间的差距，在南韩政府主导下，如三星等大企业于半导体领域有闲置厂房、设备或智财权，将可移转给南韩中小企业使用，此将有利促成南韩大型企业与中小型企业共同成长。

　　由于南韩自2012年起已推动将奈米碳管等技术应用于后(Post)互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor;CMOS)型次世代半导体的奈米相关计画，为避免资源浪费，南韩已着手协调奈米相关计画与半导体计画的负责单位协议组成新团 体，以促使成果相互连结。

　　DIGITIMES Research观察，南韩为稳固全球记忆体龙头地位，不仅将重点放在研发新技术上，亦将透过研发成果及大企业闲置资产可由南韩中小型企业运用的方式，促成大型与中小型企业平衡发展，以避免资源过度集中的情形。

　　南韩次世代记忆体材料研发计画预计投入金额及重点项目