为提升NAND Flash性能而将Cell垂直堆叠的3D堆叠技术竞争逐渐升温。目前三星电子(Samsung Electronics)已具备生产系统独大市场，SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)等半导体大厂也正加速展开相关技术研发和生产作业。

　　据ET News报导，NAND Flash的2D平面微细制程，因Cell间易发生讯号干扰现象等问题，已进入瓶颈。主要半导体大厂转而致力确保将Cell垂直堆叠的3D技术。半导体业界的技术竞争焦点从制程微细化，转变为垂直堆叠能力。

　　在3D NAND的发展方面，目前三星暂时领先。2014年三星完成32层Cell堆叠并投入量产，2015年下半将生产48层堆叠产品。同时，三星也计划在2016年上半投入64层堆叠产品量产。三星的技术发展较其他竞争业者更快，在3D领域确保独步全球的技术竞争力。

　　三星利用大陆西安工厂生产3D NAND，未来大容量固态硬碟(SSD)也将大部分以3D NAND制造。南韩业界认为，三星的3D NAND比重将从2015年的15%，在2016年提升到35%水准。

　　SK海力士2014年研发出24层堆叠的NAND Flash，并对部分客户提供样品，目前正在研发36、40层堆叠的产品。2015年将完成实验产线生产及生产性验证，并于2016年初选定主力产品投入量产。

　　东芝和美光最快将在2015年底投入量产。两大厂都已确保24层堆叠技术。2015年底或2016年初实际生产的产品，堆叠层数预估会是30~40层。3D NAND的核心竞争力在于面积相同Cell的堆叠层数。因在装置上占的面积最小化，并确保更大的储存容量。

　　即使采用同样的制程技术，3D堆叠的芯片较2D在理论上写入速度快2倍、写入次数最大可提升到10倍，集成度也可提升2倍以上，而耗电量则减少一半耐用度也较2D产品优越。

　　南韩业者表示，目前尚未知存储器芯片堆叠技术的瓶颈，未来也有可能出现堆叠100层以上的设计。惟3D制程在蚀刻和蒸镀的难易度较高，确保尖端设备变得非常重要。