联电有意推动28纳米制程在厦门厂生产。李建梁摄晶圆代工厂联电看好大陆对于28纳米制程需求将大爆发，积极为厦门12吋厂28纳米制程投产解套，碍于半导体西进N-1世代技术法令限制，近期联电与IC设计业者展开18纳米制程合作，全面为厦门12吋厂挺进28纳米制程铺路。不过，相关消息仍待联电对外宣布。

　　全球半导体先进技术进入16/14纳米FinFET制程竞赛，然28纳米制程仍扮演重要角色，由于大陆移动通讯产品需求旺盛，业者预期28纳米制程至少会再热络3年，联电看准这一波商机，全力为厦门12吋厂生产28纳米制程解套。

　　联电厦门12吋厂已动土兴建，并申请55和40纳米制程西进，由于40与28纳米PolySiON制程多数机台设备都相通，联电希望28纳米制程能在厦门厂合法生产。根据既有半导体厂西进设立12吋厂法令规范，必须是N-1世代技术，因为联电并没有20纳米制程技术，联电若要在厦门厂生产28纳米制程，必须在台湾量产14纳米制程。

　　半导体业者透露，14纳米FinFET制程难度非常高，即便是台积电和三星电子（Samsung Electronics）在16/14纳米制程亦耗费非常久的时间，2015年才陆续进入量产，联电14纳米制程虽号称2015年中进入试产，预计2016年量产，但内部评估需要更长时间，如此恐延误厦门12吋厂生产28纳米时程，联电内部遂决定另辟战场，研发18纳米制程为厦门厂解套。

　　由于不少IC设计业者认为采用14纳米制程生产太贵，有意与联电共同打造一个效能、耗电都优于28纳米，但成本低于14纳米的制程世代，联电遂决定投入18纳米制程，初期仅规划1万片产能。

　　半导体业者认为，联电28纳米制程系延续台积电T-Like设计，采用Gate-Last制程，其他如GlobalFoundries等都是采用Gate-First制程，很难说服台积电现有的28纳米制程客户转单，联电想要借由28纳米制程在大陆抢市占是可行的策略。

　　不过，业界传出联电18纳米制程采用FinFET设计，技术难度也相当高，联电好不容易量产28纳米，并投入14纳米制程，若要再发展18纳米制程，恐分散内部研发资源。

　　另外，中芯国际与高通合作28纳米制程亦不断释出量产消息，但业者透露，中芯和高通针对28纳米合作并没有以往密切，使得中芯28纳米制程进度有些卡关。