《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 嵌入式技术 > 业界动态 > 哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者?

哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者?

2015-07-20

  美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台,成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅),专为超低功耗芯片打造。

  FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管,目前并不为业内看好,因为无论Intel还是三星、台积电,22n时代起就纷纷转入了立体晶体管,也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳,自己搞不出足够好的立体晶体管技术,22nm上只能继续改进平面型,20nm上努力了一阵放弃了,14nm 索性直接借用三星的。 尽管如此,GF 22nm FD-SOI工艺也是有一些独特优势的,虽然无法制造高性能芯片,但也很适合移动计算、IoT物联网、射频联网、网络基础架构等领域。

92f92a6935a47edff005f0fee2a761ca.jpg

  GlobalFoundries宣称,该工艺功耗比28nm HKMG降低了70%,芯片面积比28nm Bulk缩小了20%,光刻层比FinFET工艺减少接近50%,芯片成本比16/14nm低了20%,而且功耗超低,电压可以做到业界最低的0.4V, 并可通过软件控制晶体管电压,还集成了RF射频,功耗降低最多50%。

  甚至,它可以提供类似FinFET工艺的性能。

  哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者呢?

  GF 22nm FD-SOI工艺将于2016年下半年在德国德累斯顿工厂投产,为此已投资2.5亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡尔、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表达了支持,将会采纳。

  意法半导体CEO Jean-Marc Chery表示:GLOBALFOUNDRIES的FDX平台,使用的先进FD-SOI晶体管结构是我们长期的合作研究而来的,能满足IoT对always-on和低功耗的需求,以及其它功耗敏感的设备的需求。

  飞思卡尔的MCU group VP Ron Martino表示:飞思卡尔的下一代i.MX系列应用程序处理器利用FD-SOI工艺实现低功耗。GLOBALFOUNDRIES 22FDX平台将FD-SOI扩展到28nm以下,对成本和功耗都带来显著优化。

  ARM物理设计部总经理Will Abbey表示: 我们正在与GLOBALFOUNDRIES密切合作,提供客户所需的IP生态系统,帮助他们从22FDX技术中获益。

  VeriSilicon总裁兼首席执行官戴伟民表示:VeriSilicon已经拥有利用FD-SOI技术实现IoT SoC的经验,我们已经通过FD-SOI实现超低功耗的应用。我们期待与GLOBALFOUNDRIES在22FDX继续合作。

  Imagination Technologies营销副总裁Tony King-Smith指出:GLOBALFOUNDRIES的22FDX与Imagination的广泛IP组合结合后会赋予我们共同的客户更多创新设计,这些IP包括PowerVR多媒体、MIPS CPU和Ensigma通信。

  IBS公司创始人兼首席执行官Handel Jones 表示,FD-SOI技术可以提供一个多节点、低成本方案,GLOBALFOUNDRIES 的22FDX在一个低成本平台上实现了FD-SOI技术的最低功耗。

  CEA-Leti公司首席执行官Marie-Noelle Semeria 表示,只需要对现有设计和制造方法进行微小调整,FD-SOI就能显著改善性能和功耗。我们可以共同为相关技术提供易用的设计和制造技术。

  “Soitec首席执行官Paul Boudre表示,对下一代的低功耗电子产品来说,这是一个关键的里程碑。作为GLOBALFOUNDRIES的战略合作伙伴,我们的超薄SOI衬底已经准备好应对22FDX技术量产。


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。